Substrats de SiC de 3 polzades de 76,2 mm de diàmetre HPSI Prime Research i grau Dummy

Substrat conductor: es refereix a la resistivitat del substrat de carbur de silici de 15 ~ 30 mΩ-cm.La hòstia epitaxial de carbur de silici cultivada a partir del substrat conductor de carbur de silici es pot convertir encara més en dispositius d'energia, que s'utilitzen àmpliament en vehicles d'energia nova, fotovoltaics, xarxes intel·ligents i transport ferroviari.

El substrat semiaïllant es refereix a la resistivitat superior a 100000Ω-cm. El substrat de carbur de silici, utilitzat principalment en la fabricació de dispositius de radiofreqüència de microones de nitrur de gal·li, és la base del camp de comunicació sense fil.

És un component bàsic en el camp de la comunicació sense fil.

Els substrats conductors i semiaïllants de carbur de silici s'utilitzen en una àmplia gamma de dispositius electrònics i dispositius d'alimentació, inclosos, entre d'altres, els següents:

Dispositius semiconductors d'alta potència (conductors): els substrats de carbur de silici tenen una gran intensitat de camp de ruptura i conductivitat tèrmica, i són adequats per a la producció de transistors i díodes de potència d'alta potència i altres dispositius.

Dispositius electrònics de RF (semi-aïllats): els substrats de carbur de silici tenen una alta velocitat de commutació i tolerància a la potència, adequats per a aplicacions com ara amplificadors de potència de RF, dispositius de microones i interruptors d'alta freqüència.

Dispositius optoelectrònics (semi-aïllats): els substrats de carbur de silici tenen una gran bretxa energètica i una alta estabilitat tèrmica, adequats per fabricar fotodíodes, cèl·lules solars i díodes làser i altres dispositius.

Sensors de temperatura (conductors): els substrats de carbur de silici tenen una alta conductivitat tèrmica i estabilitat tèrmica, adequats per a la producció de sensors d'alta temperatura i instruments de mesura de temperatura.

El procés de producció i aplicació de substrats conductors i semiaïllants de carbur de silici tenen una àmplia gamma de camps i potencials, proporcionant noves possibilitats per al desenvolupament de dispositius electrònics i dispositius de potència.