El dia 26, Power Cube Semi va anunciar el desenvolupament reeixit del primer semiconductor MOSFET de 2300V SiC (carbur de silicio) de Corea del Sud.
En comparació amb els semiconductors basats en Si (silici), el SiC (carbur de silici) pot suportar tensions més altes, per la qual cosa és considerat com el dispositiu de nova generació que lidera el futur dels semiconductors de potència.Serveix com un component crucial necessari per introduir tecnologies d'avantguarda, com la proliferació de vehicles elèctrics i l'expansió dels centres de dades impulsats per la intel·ligència artificial.
Power Cube Semi és una empresa sense fables que desenvolupa dispositius semiconductors de potència en tres categories principals: SiC (carbur de silici), Si (silici) i Ga2O3 (òxid de gal·li).Recentment, l'empresa va aplicar i vendre díodes de barrera Schottky (SBD) d'alta capacitat a una empresa global de vehicles elèctrics a la Xina, guanyant reconeixement pel seu disseny i tecnologia de semiconductors.
El llançament del MOSFET SiC de 2300 V és destacable com el primer cas de desenvolupament d'aquest tipus a Corea del Sud.Infineon, una empresa global de semiconductors d'energia amb seu a Alemanya, també va anunciar el llançament del seu producte de 2000 V al març, però sense una línia de productes de 2300 V.
El MOSFET CoolSiC de 2000 V d'Infineon, que utilitza el paquet TO-247PLUS-4-HCC, satisfà la demanda d'augment de la densitat de potència entre els dissenyadors, assegurant la fiabilitat del sistema fins i tot en condicions estrictes d'alta tensió i freqüència de commutació.
El MOSFET CoolSiC ofereix una tensió d'enllaç de corrent continu més alta, que permet augmentar la potència sense augmentar el corrent.És el primer dispositiu de carbur de silici discret del mercat amb una tensió de ruptura de 2000 V, que utilitza el paquet TO-247PLUS-4-HCC amb una distància de fuga de 14 mm i un espai lliure de 5,4 mm.Aquests dispositius presenten pèrdues de commutació baixes i són adequats per a aplicacions com inversors de cadena solar, sistemes d'emmagatzematge d'energia i càrrega de vehicles elèctrics.
La sèrie de productes CoolSiC MOSFET 2000V és adequada per a sistemes de bus DC d'alta tensió de fins a 1500V DC.En comparació amb el MOSFET SiC de 1700 V, aquest dispositiu proporciona un marge de sobretensió suficient per a sistemes de 1500 V CC.El MOSFET CoolSiC ofereix una tensió de llindar de 4,5 V i ve equipat amb díodes de cos robust per a una commutació dura.Amb la tecnologia de connexió .XT, aquests components ofereixen un excel·lent rendiment tèrmic i una forta resistència a la humitat.
A més del MOSFET CoolSiC de 2000 V, Infineon llançarà aviat díodes CoolSiC complementaris empaquetats en paquets TO-247PLUS de 4 pins i TO-247-2 el tercer trimestre de 2024 i l'últim trimestre de 2024, respectivament.Aquests díodes són especialment adequats per a aplicacions solars.També hi ha disponibles combinacions de productes de controlador de porta coincidents.
La sèrie de productes CoolSiC MOSFET 2000V ja està disponible al mercat.A més, Infineon ofereix taulers d'avaluació adequats: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.Els desenvolupadors poden utilitzar aquesta placa com a plataforma de prova general precisa per avaluar tots els MOSFET i díodes CoolSiC classificats a 2000 V, així com la sèrie de productes 1ED31xx del controlador compacte de porta d'aïllament d'un sol canal EiceDRIVER mitjançant un funcionament de doble pols o PWM continu.
Gung Shin-soo, director de tecnologia de Power Cube Semi, va declarar: "Hem pogut ampliar la nostra experiència existent en el desenvolupament i la producció massiva de MOSFET SiC de 1700 V a 2300 V.
Hora de publicació: abril-08-2024