Hòstia de substrat de 3 polzades 76,2 mm 4H-Semi SiC Hòstia de carbur de silici semi-insultant

Hòstia de substrat 4H-Semi SiC de 3 polzades 76,2 mm Hòsties de SiC semi-insultantes de carbur de silici Imatge destacada

Descripció breu:

Hòstia de SiC d'un sol cristall d'alta qualitat (carbur de silici) per a la indústria electrònica i optoelectrònica.La hòstia de SiC de 3 polzades és un material semiconductor de nova generació, hòsties de carbur de silici semiaïllants de 3 polzades de diàmetre.Les hòsties estan destinades a la fabricació de dispositius d'energia, RF i optoelectrònics.

Envieu-nos un correu electrònic

Detall del producte

Etiquetes de producte

Descripció

Les hòsties de substrat de SiC (carbur de silici) semi-aïllades de 3 polzades 4H són un material semiconductor d'ús habitual.4H indica una estructura cristal·lina tetrahexaèdrica.El semiaïllament significa que el substrat té característiques d'alta resistència i es pot aïllar una mica del flux de corrent.

Aquestes hòsties de substrat tenen les característiques següents: alta conductivitat tèrmica, baixa pèrdua de conducció, excel·lent resistència a altes temperatures i excel·lent estabilitat mecànica i química.Com que el carbur de silici té una gran bretxa d'energia i pot suportar altes temperatures i condicions de camp elèctric elevats, les hòsties semiaïllades 4H-SiC s'utilitzen àmpliament en dispositius electrònics de potència i radiofreqüència (RF).

Les principals aplicacions de les hòsties semiaïllades 4H-SiC inclouen:

1--Electrònica de potència: les hòsties 4H-SiC es poden utilitzar per fabricar dispositius de commutació de potència com ara MOSFET (Transistors d'efecte de camp de semiconductors d'òxid metàl·lic), IGBT (Transistors bipolars de porta aïllada) i díodes Schottky.Aquests dispositius tenen menors pèrdues de conducció i commutació en entorns d'alta tensió i alta temperatura i ofereixen una major eficiència i fiabilitat.

2--Dispositius de radiofreqüència (RF): les hòsties semi-aïllades 4H-SiC es poden utilitzar per fabricar amplificadors de potència de RF d'alta freqüència, resistències de xip, filtres i altres dispositius.El carbur de silici té un millor rendiment d'alta freqüència i estabilitat tèrmica a causa de la seva major taxa de deriva de saturació d'electrons i una major conductivitat tèrmica.

3--Dispositius optoelectrònics: les hòsties semiaïllades 4H-SiC es poden utilitzar per fabricar díodes làser d'alta potència, detectors de llum UV i circuits integrats optoelectrònics.

Pel que fa a la direcció del mercat, la demanda de hòsties semiaïllades 4H-SiC està augmentant amb els creixents camps de l'electrònica de potència, RF i optoelectrònica.Això es deu al fet que el carbur de silici té una àmplia gamma d'aplicacions, com ara l'eficiència energètica, els vehicles elèctrics, les energies renovables i les comunicacions.En el futur, el mercat de les hòsties semiaïllades 4H-SiC continua sent molt prometedor i s'espera que substitueixi els materials de silici convencionals en diverses aplicacions.