GaN de 200 mm de 8 polzades sobre substrat d'hòstia Epi-capa de safir

GaN de 200 mm i 8 polzades sobre substrat d'hòsties de safir Epi-capa Imatge destacada

Descripció breu:

El procés de fabricació implica el creixement epitaxial d'una capa de GaN sobre un substrat de safir mitjançant tècniques avançades com la deposició de vapor químic orgànic-metall (MOCVD) o l'epitaxia de feix molecular (MBE).La deposició es realitza en condicions controlades per garantir una alta qualitat de cristall i uniformitat de la pel·lícula.

Envieu-nos un correu electrònic

Detall del producte

Etiquetes de producte

Presentació del producte

El substrat GaN-on-Sapphire de 8 polzades és un material semiconductor d'alta qualitat compost per una capa de nitrur de gal·li (GaN) que creix sobre un substrat de safir.Aquest material ofereix excel·lents propietats de transport electrònic i és ideal per a la fabricació de dispositius semiconductors d'alta potència i alta freqüència.

Mètode de fabricació

Aplicacions

El substrat GaN-on-Sapphire de 8 polzades troba àmplies aplicacions en diversos camps, com ara comunicacions per microones, sistemes de radar, tecnologia sense fils i optoelectrònica.Algunes de les aplicacions habituals inclouen:

1. Amplificadors de potència de RF

2. Indústria de la il·luminació LED

3. Dispositius de comunicació de xarxa sense fil

4. Dispositius electrònics per a ambients d'alta temperatura

5. Odispositius ptoelectrònics

Especificacions del producte

-Dimensió: la mida del substrat és de 8 polzades (200 mm) de diàmetre.

- Qualitat de la superfície: la superfície està polida a un alt grau de suavitat i presenta una excel·lent qualitat de mirall.

- Gruix: el gruix de la capa de GaN es pot personalitzar en funció dels requisits específics.

- Embalatge: el substrat s'empaqueta acuradament amb materials antiestàtics per evitar danys durant el trànsit.

- Orientació plana: el substrat té una orientació plana específica per ajudar a l'alineació i la manipulació de les hòsties durant els processos de fabricació del dispositiu.

- Altres paràmetres: les característiques específiques del gruix, la resistivitat i la concentració de dopants es poden adaptar segons els requisits del client.

Amb les seves propietats materials superiors i aplicacions versàtils, el substrat GaN-on-Sapphire de 8 polzades és una opció fiable per al desenvolupament de dispositius semiconductors d'alt rendiment en diverses indústries.

Excepte GaN-On-Sapphire, també podem oferir en el camp de les aplicacions de dispositius d'alimentació, la família de productes inclou hòsties epitaxials AlGaN/GaN-on-Si de 8 polzades i epitaxial P-cap AlGaN/GaN-on-Si de 8 polzades. hòsties.Al mateix temps, vam innovar l'aplicació de la seva pròpia tecnologia avançada d'epitaxi GaN de 8 polzades en el camp de microones i vam desenvolupar una hòstia d'epitaxi AlGaN/ GAN-on-HR Si de 8 polzades que combina un alt rendiment amb una gran mida i baix cost. i compatible amb el processament estàndard de dispositius de 8 polzades.A més del nitrur de gal·li basat en silici, també tenim una línia de productes d'hòsties epitaxials AlGaN/GaN-on-SiC per satisfer les necessitats dels clients de materials epitaxials de nitrur de gal·li a base de silici.