Hòstia de safir de 2 polzades de 50,8 mm Pla C Pla M Pla R Pla A Gruix 350um 430um 500um

Hòstia de safir de 2 polzades de 50,8 mm Pla C Pla M Pla R Pla A Gruix 350um 430um 500um Imatge destacada

Descripció breu:

El safir és un material d'una combinació única de propietats físiques, químiques i òptiques, que el fan resistent a les altes temperatures, el xoc tèrmic, l'erosió de l'aigua i la sorra i les ratllades.

Envieu-nos un correu electrònic

Detall del producte

Etiquetes de producte

Especificació de diferents orientacions

Orientació	C(0001)-Eix		R(1-102)-Eix		M(10-10) -Eix	A(11-20)-Eix
Propietat física	L'eix C té llum de cristall, i els altres eixos tenen llum negativa.El pla C és pla, preferiblement tallat.		El pla R una mica més dur que A.		El plànol M és dentat escalonat, no és fàcil de tallar, fàcil de tallar.	La duresa del pla A és significativament superior a la del pla C, que es manifesta en resistència al desgast, resistència a les ratllades i alta duresa;El pla lateral A és un pla en ziga-zaga, que és fàcil de tallar;
Aplicacions	Els substrats de safir orientats a C s'utilitzen per fer créixer pel·lícules dipositades III-V i II-VI, com el nitrur de gal·li, que pot produir productes LED blaus, díodes làser i aplicacions de detectors d'infrarojos. Això es deu principalment a que el procés de creixement del cristall de safir al llarg de l'eix C és madur, el cost és relativament baix, les propietats físiques i químiques són estables i la tecnologia d'epitaxia al pla C és madura i estable.		Creixement de substrats orientat a R de diferents extrasystals de silici dipositats, utilitzats en circuits integrats de microelectrònica. A més, també es poden formar circuits integrats d'alta velocitat i sensors de pressió en el procés de producció de pel·lícules de creixement de silici epitaxial.El substrat tipus R també es pot utilitzar en la producció de plom, altres components superconductors, resistències d'alta resistència, arsenur de gal·li.		S'utilitza principalment per fer créixer pel·lícules epitaxials GaN no polars/semipolars per millorar l'eficiència lluminosa.	L'orientació A al substrat produeix una permitivitat/mitjana uniforme i s'utilitza un alt grau d'aïllament en la tecnologia de microelectrònica híbrida.Els superconductors d'alta temperatura es poden produir a partir de cristalls allargats de base A.
Capacitat de processament	Substrat de safir de patró (PSS): en forma de creixement o gravat, es dissenyen i es fan patrons de microestructura regulars específics a nanoescala al substrat de safir per controlar la forma de sortida de llum del LED i reduir els defectes diferencials entre el GaN que creix al substrat de safir. , millora la qualitat de l'epitaxia i millora l'eficiència quàntica interna del LED i augmenta l'eficiència de l'extracció de la llum. A més, el prisma de safir, el mirall, la lent, el forat, el con i altres peces estructurals es poden personalitzar segons els requisits del client.
Declaració de la propietat	Densitat	Duresa	punt de fusió	Índex de refracció (visible i infrarojo)	Transmissió (DSP)	Constant dielèctrica
Declaració de la propietat	3,98 g/cm3	9 (mohs)	2053 ℃	1.762~1.770	≥85%	11,58 @ 300 K a l'eix C (9,4 a l'eix A)

Diagrama detallat

avcasvb (1)

avcasvb (2)

avcasvb (3)

Anterior: Hòstia de niòbat de liti de 8 polzades Hòstia LiNbO3 LN

Pròxim: 2 polzades 50,8 mm de gruix 0,1 mm 0,2 mm 0,43 mm Hòstia de safir Pla C Pla M Pla R Pla A

Escriu el teu missatge aquí i envia'ns-ho

Categories de productes