Substrat
-
SiC tipus N sobre substrats compostos de Si Dia6inch
-
Substrat de SiC Dia200mm 4H-N i carbur de silici HPSI
-
Producció de substrat de SiC de 3 polzades Dia76.2mm 4H-N
-
Substrat de SiC de grau P i D Dia50mm 4H-N 2 polzades
-
Substrats de vidre TGV Perforació de vidre per oblies de 12 polzades
-
Lingot de SiC tipus 4H-N grau fictici 2 polzades 3 polzades 4 polzades 6 polzades gruix: > 10 mm
-
Oblia SiC Epi de 4 polzades per a MOS o SBD
-
Lingot de SiC de 2 polzades Dia50.8mmx10mmt monocristall 4H-N
-
Oblívia d'epitassi SiC de 6 polzades tipus N/P accepta personalització
-
Oblia de diòxid de silici, oblia de SiO2 gruixuda, polida, de primera qualitat i de prova
-
Oblia de silici FZ CZ en estoc Oblia de silici de 12 polzades Prime o Test
-
Substrat de recuperació fictici de tipus P/N (100) de silici de 8 polzades amb oblia de silici de 1-100 Ω