Substrat
-
Substrats compostos de SiC tipus N Dia6inch substrat monocristal·lí d'alta qualitat i substrat de baixa qualitat
-
SiC semiaïllant sobre substrats compostos de Si
-
Substrats compostos semiaïllants de SiC de diàmetre de 2 polzades, 4 polzades i 6 polzades i 8 polzades HPSI
-
El diàmetre i el gruix del blanc de safir monocristall de bola de safir sintètic es poden personalitzar.
-
SiC tipus N sobre substrats compostos de Si Dia6inch
-
Substrat de SiC Dia200mm 4H-N i carbur de silici HPSI
-
Producció de substrat de SiC de 3 polzades Dia76.2mm 4H-N
-
Substrat de SiC de grau P i D Dia50mm 4H-N 2 polzades
-
Substrats de vidre TGV Perforació de vidre per oblies de 12 polzades
-
Lingot de SiC tipus 4H-N grau fictici 2 polzades 3 polzades 4 polzades 6 polzades gruix: > 10 mm
-
Aïllant de làmines SOI en làmines SOI (Silicon-On-Insulator) de silici de 8 i 6 polzades
-
SSP/DSP de pla C de 12 polzades amb oblia de safir