logotip de xinkehui
  • Inici
  • Empresa
    • Sobre Xinkehui
    • Descarrega
  • Productes
    • Substrat
      • Safir
      • SiC
      • Silici
      • LiTaO3_LiNbO3
      • AlN
      • InP
      • GaAs
      • Altres vidres
      • InSb
    • Productes òptics
      • Quars, BF33 i K9
      • Cristall de safir
      • Tub i vareta de safir
      • Finestres de safir
    • capa epitaxial
      • Oblia d'epitaxia de GaN
    • productes ceràmics
    • Portador d'oblies
    • Equips semiconductors
    • Gema preciosa de safir sintètic
    • Material de monocristall metàl·lic
  • Notícies
  • Contacte
English
  • Inici
  • Productes
  • Substrat

Categories

  • Substrat
    • Safir
    • SiC
    • Silici
    • LiTaO3_LiNbO3
    • AlN
    • GaAs
    • InP
    • InSb
    • Altres vidres
  • Productes òptics
    • Quars, BF33 i K9
    • Cristall de safir
    • Tub i vareta de safir
    • Finestres de safir
  • capa epitaxial
    • Oblia d'epitaxia de GaN
  • productes ceràmics
  • Portador d'oblies
  • Gema preciosa de safir sintètic
  • Equips semiconductors
  • Material de monocristall metàl·lic

Productes destacats

  • Oblívia conductiva de SiC 4H-N de 8 polzades i 200 mm, grau de recerca simulada
    Conductor de 8 polzades i 200 mm de SiC 4H-N...
  • Substrat portador de galeta de safir de 150 mm i 6 polzades, 0,7 mm i 0,5 mm, pla C SSP/DSP
    150 mm 6 polzades 0,7 mm 0,5 mm Safir...
  • Oblia de safir de 4 polzades, pla C, SSP/DSP, 0,43 mm i 0,65 mm
    Oblies de safir de 4 polzades C-Plane SS...
  • Finestra de safir Lent de vidre de safir Monocristall Al2O3 material
    Finestra de safir Vidre de safir l...
  • Finestra de safir amb oblia de safir de dia 50,8 mm DSP/SSP d'alta transmitància òptica
    Oblia de safir de diàmetre de 50,8 mm...
  • Plantilla d'AlN de 50,8 mm/100 mm sobre NPSS/FSS Plantilla d'AlN sobre safir
    Plantilla d'AlN de 50,8 mm/100 mm sobre NPS...

Substrat

  • Oblia epitaxial làser de GaAs de 4 polzades i 6 polzades amb emissió superficial de cavitat vertical VCSEL, longitud d'ona del làser de 940 nm, unió única

    Oblia epitaxial làser de GaAs de 4 polzades i 6 polzades amb emissió superficial de cavitat vertical VCSEL, longitud d'ona del làser de 940 nm, unió única

  • Detector de llum APD de substrat d'oblia epitaxial InP de 2 polzades, 3 polzades i 4 polzades per a comunicacions de fibra òptica o LiDAR

    Detector de llum APD de substrat d'oblia epitaxial InP de 2 polzades, 3 polzades i 4 polzades per a comunicacions de fibra òptica o LiDAR

  • Anell de safir fet de material sintètic de safir Transparent i personalitzable Duresa Mohs de 9

    Anell de safir fet de material sintètic de safir Transparent i personalitzable Duresa Mohs de 9

  • anell de safir anell totalment de safir elaborat completament amb safir Material de safir transparent fet al laboratori

    anell de safir anell totalment de safir elaborat completament amb safir Material de safir transparent fet al laboratori

  • Lingot de safir de diàmetre de 4 polzades × 80 mm, monocristal·lí d'Al2O3 al 99,999%, monocristall

    Lingot de safir de diàmetre de 4 polzades × 80 mm, monocristal·lí d'Al2O3 al 99,999%, monocristall

  • Prisma de safir Lent de safir Alta transparència Al2O3 BK7 JGS1 JGS2 Material Instrument òptic

    Prisma de safir Lent de safir Alta transparència Al2O3 BK7 JGS1 JGS2 Material Instrument òptic

  • Substrat de SiC de 3 polzades i 350 µm de gruix, tipus HPSI, grau prim, grau fictici

    Substrat de SiC de 3 polzades i 350 µm de gruix, tipus HPSI, grau prim, grau fictici

  • Lingot de carbur de silici SiC de 6 polzades tipus N, gruix de primera qualitat/falsificació, es pot personalitzar

    Lingot de carbur de silici SiC de 6 polzades tipus N, gruix de primera qualitat/falsificació, es pot personalitzar

  • Lingot semiaïllant de carbur de silici 4H-SiC de 6 polzades, grau fictici

    Lingot semiaïllant de carbur de silici 4H-SiC de 6 polzades, grau fictici

  • Lingot de SiC tipus 4H, diàmetre de 4 polzades i gruix de 6 polzades, grau de recerca/fictició de 5-10 mm

    Lingot de SiC tipus 4H, diàmetre de 4 polzades i gruix de 6 polzades, grau de recerca/fictició de 5-10 mm

  • Safir Boule de 6 polzades, monocristall en blanc de safir, Al2O3 99,999%

    Safir Boule de 6 polzades, monocristall en blanc de safir, Al2O3 99,999%

  • Substrat Sic, oblia de carbur de silici tipus 4H-N, alta duresa, resistència a la corrosió, polit de primera qualitat

    Substrat Sic, oblia de carbur de silici tipus 4H-N, alta duresa, resistència a la corrosió, polit de primera qualitat

<< < Anterior2345678Següent >>> Pàgina 5 / 11

NOTÍCIES

  • Ulleres AR de guia d'ones de carbur de silici de grau òptic: preparació de substrats semiaïllants d'alta puresa
    08/08/2025

    Ulleres AR de guia d'ones de carbur de silici de grau òptic: preparació de superfícies semiaïllants d'alta puresa...

  • Creixement heteroepitaxial de 3C-SiC sobre substrats de silici amb diferents orientacions
    08/08/2025

    Creixement heteroepitaxial de 3C-SiC sobre substrats de silici amb diferents orientacions

  • Ceràmica de carbur de silici vs. semiconductor Carbur de silici: el mateix material amb dos destins diferents
    30/07/2025

    Ceràmica de carbur de silici vs. semiconductor de carbur de silici: el mateix material amb dues característiques diferents...

  • Avenços en tecnologies de preparació ceràmica de carbur de silici d'alta puresa
    30/07/2025

    Avenços en tecnologies de preparació ceràmica de carbur de silici d'alta puresa

  • Principis tècnics i processos de les oblies epitaxials LED
    25/07/2025

    Principis tècnics i processos de les oblies epitaxials LED

CONTACTE

  • Rm1-1805, No.851, Dianshanhu Road; Àrea de Qingpu; Ciutat de Xangai, Xina//201799
  • +86 158 0194 2596
  • +86 187 0175 6522
  • eric@xkh-semitech.com
  • doris@xkh-semitech.com

CONSULTA

Per a consultes sobre els nostres productes o llista de preus, deixeu-nos el vostre correu electrònic i ens posarem en contacte amb vosaltres en un termini de 24 hores.

  • Facebook
  • Twitter
  • LinkedIn
  • YouTube
Enviar
© Drets d'autor - 2010-2023: Tots els drets reservats. Mapa del lloc - AMP Mòbil
Oblia Sic, Tub de safir, Personalitzat, 6 polzades, Substrat Sic, Oblies de carbur de silici,
Inuiria en línia
  • Enviar correu electrònic
  • x
    • WhatsApp

      +86 15801942596 +86 18701756522

    • qq

      eric@xkh-semitech.com doris@xkh-semitech.com

    • WhatsApp

      +86 15801942596 +86 18701756522

    Premeu Intro per cercar o ESC per tancar
    • English
    • French
    • German
    • Portuguese
    • Spanish
    • Russian
    • Japanese
    • Korean
    • Arabic
    • Irish
    • Greek
    • Turkish
    • Italian
    • Danish
    • Romanian
    • Indonesian
    • Czech
    • Afrikaans
    • Swedish
    • Polish
    • Basque
    • Catalan
    • Esperanto
    • Hindi
    • Lao
    • Albanian
    • Amharic
    • Armenian
    • Azerbaijani
    • Belarusian
    • Bengali
    • Bosnian
    • Bulgarian
    • Cebuano
    • Chichewa
    • Corsican
    • Croatian
    • Dutch
    • Estonian
    • Filipino
    • Finnish
    • Frisian
    • Galician
    • Georgian
    • Gujarati
    • Haitian
    • Hausa
    • Hawaiian
    • Hebrew
    • Hmong
    • Hungarian
    • Icelandic
    • Igbo
    • Javanese
    • Kannada
    • Kazakh
    • Khmer
    • Kurdish
    • Kyrgyz
    • Latin
    • Latvian
    • Lithuanian
    • Luxembou..
    • Macedonian
    • Malagasy
    • Malay
    • Malayalam
    • Maltese
    • Maori
    • Marathi
    • Mongolian
    • Burmese
    • Nepali
    • Norwegian
    • Pashto
    • Persian
    • Punjabi
    • Serbian
    • Sesotho
    • Sinhala
    • Slovak
    • Slovenian
    • Somali
    • Samoan
    • Scots Gaelic
    • Shona
    • Sindhi
    • Sundanese
    • Swahili
    • Tajik
    • Tamil
    • Telugu
    • Thai
    • Ukrainian
    • Urdu
    • Uzbek
    • Vietnamese
    • Welsh
    • Xhosa
    • Yiddish
    • Yoruba
    • Zulu
    • Kinyarwanda
    • Tatar
    • Oriya
    • Turkmen
    • Uyghur