Substrat
-
Hòstia de silici de 8 polzades tipus P/N (100) 1-100Ω substrat de recuperació maniquí
-
99,999% Al2O3 material transparent monocristal de safir boule
-
Lingot de SiC de 2 polzades Dia50,8 mmx10 mmt 4H-N monocristal
-
Hòstia de silici de 2 polzades de 50,8 mm FZ N-Type SSP
-
Hòstia de silici de 4 polzades FZ CZ N-Type DSP o SSP Grau de prova
-
Hòstia de 6 polzades SiC Epitaxiy tipus N/P accepta personalitzada
-
Hòstia de silici de tipus N o tipus P de 6 polzades Hòstia CZ Si
-
Hòstia de silici d'òxid tèrmic de pel·lícula fina SiO2 4 polzades 6 polzades 8 polzades 12 polzades
-
Hòsties de SiC de 4 polzades 6H Substrats de SiC semi-aïllants de primer, d'investigació i de grau simulat
-
Hòstia de substrat HPSI SiC de 6 polzades Hòsties de SiC semi-insultantes de carbur de silici
-
Hòsties de SiC semi-insultantes de 4 polzades Substrat HPSI SiC Grau de producció primària
-
Hòstia de substrat de 3 polzades 76,2 mm 4H-Semi SiC Hòstia de carbur de silici semi-insultant