Substrat
-
Oblies de carbur de silici SiC de 8 polzades i 200 mm, tipus 4H-N, grau de producció de 500um de gruix
-
Substrat de carbur de silici 6H-N de 2 polzades, oblia Sic, doble poliment conductora, grau Mos, grau de primera qualitat
-
Oblies de carbur de silici d'alta puresa (sense dopar) de 3 polzades, substrats de Sic semiaïllants (HPSl)
-
monocristall de safir diàmetre, alta duresa morhs 9 resistent a les ratllades personalitzable
-
El gravat en sec ICP de substrat de safir estampat PSS de 2 polzades, 4 polzades i 6 polzades es pot utilitzar per a xips LED
-
El substrat de safir estampat (PSS) de 2 polzades, 4 polzades i 6 polzades sobre el qual es cultiva el material GaN es pot utilitzar per a la il·luminació LED
-
Oblia recoberta d'or, oblia de safir, oblia de silici, oblia de SiC, 2 polzades, 4 polzades i 6 polzades, gruix recobert d'or 10 nm 50 nm 100 nm
-
Oblia de silici placa d'or (oblia de Si) 10nm 50nm 100nm 500nm Au Excel·lent conductivitat per a LED
-
Oblies de silici recobertes d'or de 2 polzades, 4 polzades i 6 polzades. Gruix de la capa d'or: 50 nm (± 5 nm) o pel·lícula de recobriment personalitzada Au, 99,999% de puresa.
-
Oblia d'AlN sobre NPSS: capa de nitrur d'alumini d'alt rendiment sobre substrat de safir no polit per a aplicacions d'alta temperatura, alta potència i RF
-
Plantilla AlN d'AlN sobre FSS de 2 polzades i 4 polzades de NPSS/FSS per a l'àrea de semiconductors
-
Nitrur de gal·li (GaN) epitaxial crescut en oblies de safir de 4 polzades i 6 polzades per a MEMS