Aïllant de làmines SOI en làmines SOI (Silicon-On-Insulator) de silici de 8 i 6 polzades
Introducció de la caixa de les oblies
Composta per una capa superior de silici, una capa d'òxid aïllant i un substrat de silici inferior, l'oblia SOI de tres capes ofereix avantatges inigualables en els dominis de la microelectrònica i la radiofreqüència. La capa superior de silici, amb silici cristal·lí d'alta qualitat, facilita la integració de components electrònics complexos amb precisió i eficiència. La capa d'òxid aïllant, meticulosament dissenyada per minimitzar la capacitança parasitària, millora el rendiment del dispositiu mitigant les interferències elèctriques no desitjades. El substrat de silici inferior proporciona suport mecànic i garanteix la compatibilitat amb les tecnologies de processament de silici existents.
En microelectrònica, l'oblia SOI serveix com a base per a la fabricació de circuits integrats (CI) avançats amb velocitat, eficiència energètica i fiabilitat superiors. La seva arquitectura de tres capes permet el desenvolupament de dispositius semiconductors complexos com ara CI CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor), MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) i dispositius d'alimentació.
En el domini de la radiofreqüència (RF), l'oblia SOI demostra un rendiment remarcable en el disseny i la implementació de dispositius i sistemes de RF. La seva baixa capacitància paràsita, l'alta tensió de ruptura i les excel·lents propietats d'aïllament la converteixen en un substrat ideal per a commutadors, amplificadors, filtres i altres components de RF. A més, la tolerància inherent a la radiació de l'oblia SOI la fa adequada per a aplicacions aeroespacials i de defensa on la fiabilitat en entorns durs és primordial.
A més, la versatilitat de l'oblia SOI s'estén a tecnologies emergents com els circuits integrats fotònics (PIC), on la integració de components òptics i electrònics en un sol substrat és prometedora per als sistemes de telecomunicacions i comunicació de dades de nova generació.
En resum, l'oblea de silici sobre aïllant (SOI) de tres capes es troba a l'avantguarda de la innovació en microelectrònica i aplicacions de radiofreqüència. La seva arquitectura única i les seves excepcionals característiques de rendiment obren el camí per a avenços en diverses indústries, impulsant el progrés i donant forma al futur de la tecnologia.
Diagrama detallat

