SiC
-
Oblies de carbur de silici de 2 polzades, substrats de SiC de tipus N o semiaïllants 6H o 4H
-
Oblea de substrat SiC de 4 polzades 4H-N, carbur de silici, grau de recerca fictici per a la producció
-
Oblies de carbur de silici SiC de 6 polzades i 150 mm tipus 4H-N per a la investigació de producció MOS o SBD i grau fictici
-
Oblívia conductiva de SiC 4H-N de 8 polzades i 200 mm, grau de recerca simulada
-
Oblies de carbur de silici de 2 polzades, substrats de SiC de tipus N o semiaïllants 6H o 4H