SiC
-
Lingot de SiC tipus 4H, diàmetre de 4 polzades i gruix de 6 polzades, grau de recerca/fictició de 5-10 mm
-
Substrat Sic, oblia de carbur de silici tipus 4H-N, alta duresa, resistència a la corrosió, polit de primera qualitat
-
Oblia de carbur de silici de 2 polzades, tipus 6H-N, grau de primera qualitat, grau de recerca, grau fictici, 330 μm i 430 μm de gruix
-
Substrat de carbur de silici de 2 polzades 6H-N polit de doble cara de diàmetre de 50,8 mm de grau de producció, grau de recerca
-
Substrats compostos de SiC tipus N Dia6inch substrat monocristal·lí d'alta qualitat i substrat de baixa qualitat
-
Substrats compostos semiaïllants de SiC de diàmetre 2 polzades, 4 polzades, 6 polzades i 8 polzades HPSI
-
SiC tipus N sobre substrats compostos de Si Dia6inch
-
Substrat de SiC Dia200mm 4H-N i carbur de silici HPSI
-
Producció de substrat de SiC de 3 polzades Dia76.2mm 4H-N
-
Substrat de SiC de grau P i D Dia50mm 4H-N 2 polzades
-
Lingot de SiC tipus 4H-N grau fictici 2 polzades 3 polzades 4 polzades 6 polzades gruix: > 10 mm
-
Oblia de SiC de 200 mm de grau fictici 4H-N de 8 polzades