Lent òptica Sic 6SP 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI Mida personalitzada

1. Alt índex de refracció i àmplia finestra de transmissió: les lents òptiques de SiC demostren un rendiment òptic excepcional amb un índex de refracció d'aproximadament 2,6-2,7 en tot el seu espectre operatiu. Aquesta àmplia finestra de transmissió (600-1850 nm) abasta tant les regions visibles com les de l'infraroig proper, cosa que les fa especialment valuoses per a sistemes d'imatges multiespectrals i aplicacions òptiques de banda ampla. El baix coeficient d'absorció del material en aquests rangs garanteix una atenuació mínima del senyal, fins i tot en aplicacions làser d'alta potència.

2. Propietats òptiques no lineals excepcionals: L'estructura cristal·lina única del carbur de silici li confereix uns coeficients òptics no lineals notables (χ(2) ≈ 15 pm/V, χ(3) ≈ 10-20 m2/V2), que permeten processos de conversió de freqüència eficients. Aquestes propietats s'estan explotant activament en aplicacions d'avantguarda com ara oscil·ladors paramètrics òptics, sistemes làser ultraràpids i dispositius de processament de senyals totalment òptics. L'alt llindar de dany del material (>5 GW/cm2) millora encara més la seva idoneïtat per a aplicacions d'alta intensitat.

3. Estabilitat mecànica i tèrmica: Amb un mòdul elàstic proper als 400 GPa i una conductivitat tèrmica superior a 300 W/m·K, els components òptics de SiC mantenen una estabilitat excepcional sota esforç mecànic i cicles tèrmics. El coeficient d'expansió tèrmica ultrabaix (4.0×10-6/K) garanteix un desplaçament focal mínim amb les variacions de temperatura, un avantatge crític per als sistemes òptics de precisió que operen en entorns tèrmics fluctuants com ara aplicacions espacials o equips de processament làser industrials.

4. Propietats quàntiques: Els centres de color de vacança de silici (VSi) i divacància (VSiVC) en els politipus 4H-SiC i 6H-SiC presenten estats d'espín òpticament direccionables amb temps de coherència llargs a temperatura ambient. Aquests emissors quàntics s'estan integrant en xarxes quàntiques escalables i són particularment prometedors per al desenvolupament de sensors quàntics a temperatura ambient i dispositius de memòria quàntica en arquitectures de computació quàntica fotònica.

5. Compatibilitat CMOS: La compatibilitat del SiC amb els processos estàndard de fabricació de semiconductors permet una integració monolítica directa amb plataformes fotòniques de silici. Això permet la creació de sistemes híbrids fotònics-electrònics que combinen els avantatges òptics del SiC amb la funcionalitat electrònica del silici, obrint noves possibilitats per als dissenys de sistema en un xip en aplicacions de computació i detecció òptica.