Braç de manipulació d'efector final de ceràmica SiC per al transport de galeta

Braç de manipulació d'efector final de ceràmica SiC per al transport de galetes Imatge destacada

Descripció breu:

Les oblies de LiNbO₃ representen l'estàndard d'or en fotònica integrada i acústica de precisió, oferint un rendiment inigualable en els sistemes optoelectrònics moderns. Com a fabricant líder, hem perfeccionat l'art de produir aquests substrats dissenyats mitjançant tècniques avançades d'equilibri del transport de vapor, aconseguint una perfecció cristal·lina líder en la indústria amb densitats de defectes inferiors a 50/cm².

Les capacitats de producció de XKH abasten diàmetres de 75 mm a 150 mm, amb un control d'orientació precís (tall X/Y/Z ±0,3°) i opcions de dopatge especialitzades, incloent-hi elements de terres rares. La combinació única de propietats de les oblies de LiNbO₃, incloent-hi el seu notable coeficient r₃₃ (32±2 pm/V) i l'àmplia transparència des de l'ultraviolat proper fins a l'infraroig mitjà, les fa indispensables per als circuits fotònics de nova generació i els dispositius acústics d'alta freqüència.

Envia'ns un correu electrònic

Característiques

Efector final ceràmic de SiC Resum

L'efector final ceràmic de SiC (carbur de silici) és un component crític en els sistemes de manipulació d'oblies d'alta precisió que s'utilitzen en la fabricació de semiconductors i en entorns de microfabricació avançats. Dissenyat per complir els requisits exigents d'entorns ultranets, d'alta temperatura i altament estables, aquest efector final especialitzat garanteix un transport fiable i lliure de contaminació de les oblies durant les etapes clau de la producció, com ara la litografia, el gravat i la deposició.

Aprofitant les propietats superiors del material de carbur de silici, com ara l'alta conductivitat tèrmica, la duresa extrema, l'excel·lent inertícia química i la mínima expansió tèrmica, l'efector final ceràmic de SiC ofereix una rigidesa mecànica i una estabilitat dimensional inigualables, fins i tot sota cicles tèrmics ràpids o en cambres de procés corrosives. Les seves característiques de baixa generació de partícules i resistència al plasma el fan especialment adequat per a aplicacions de processament en sala blanca i buit, on mantenir la integritat de la superfície de la làmina i reduir la contaminació de partícules són primordials.

Aplicació de l'efector final ceràmic de SiC

1. Manipulació de làmines de semiconductors

Els efectors finals ceràmics de SiC s'utilitzen àmpliament a la indústria dels semiconductors per manipular oblies de silici durant la producció automatitzada. Aquests efectors finals normalment es munten en braços robòtics o sistemes de transferència al buit i estan dissenyats per allotjar oblies de diverses mides, com ara 200 mm i 300 mm. Són essencials en processos com la deposició química de vapor (CVD), la deposició física de vapor (PVD), el gravat i la difusió, on són habituals les altes temperatures, les condicions de buit i els gasos corrosius. L'excepcional resistència tèrmica i l'estabilitat química del SiC el converteixen en un material ideal per suportar entorns tan durs sense degradació.

2. Compatibilitat amb sales blanques i buit

En sales blanques i buit, on s'ha de minimitzar la contaminació de partícules, la ceràmica de SiC ofereix avantatges significatius. La superfície densa i llisa del material resisteix la generació de partícules, cosa que ajuda a mantenir la integritat de la làmina durant el transport. Això fa que els efectors finals de SiC siguin especialment adequats per a processos crítics com la litografia ultraviolada extrema (EUV) i la deposició de capes atòmiques (ALD), on la neteja és crucial. A més, la baixa desgasificació i l'alta resistència al plasma del SiC garanteixen un rendiment fiable en cambres de buit, allargant la vida útil de les eines i reduint la freqüència de manteniment.

3. Sistemes de posicionament d'alta precisió

La precisió i l'estabilitat són vitals en els sistemes avançats de manipulació d'oblies, especialment en els equips de metrologia, inspecció i alineació. Les ceràmiques de SiC tenen un coeficient d'expansió tèrmica extremadament baix i una rigidesa elevada, cosa que permet a l'efector final mantenir la seva precisió estructural fins i tot sota cicles tèrmics o càrrega mecànica. Això garanteix que les oblies romanguin alineades amb precisió durant el transport, minimitzant el risc de microratllades, desalineació o errors de mesura, factors que són cada cop més crítics en els nodes de procés sub-5 nm.

Propietats de l'efector final ceràmic de SiC

1. Alta resistència mecànica i duresa

Les ceràmiques de SiC posseeixen una resistència mecànica excepcional, amb una resistència a la flexió que sovint supera els 400 MPa i valors de duresa Vickers superiors a 2000 HV. Això les fa altament resistents a l'estrès mecànic, l'impacte i el desgast, fins i tot després d'un ús operatiu prolongat. L'alta rigidesa del SiC també minimitza la deflexió durant les transferències d'oblies d'alta velocitat, garantint un posicionament precís i repetible.

2. Excel·lent estabilitat tèrmica

Una de les propietats més valuoses de la ceràmica de SiC és la seva capacitat per suportar temperatures extremadament altes, sovint fins a 1600 °C en atmosferes inertes, sense perdre la integritat mecànica. El seu baix coeficient d'expansió tèrmica (~4,0 x 10⁻⁶ /K) garanteix l'estabilitat dimensional sota cicles tèrmics, cosa que la fa ideal per a aplicacions com ara CVD, PVD i recuit a alta temperatura.

Preguntes i respostes sobre l'efector final de ceràmica SiC

P: Quin material s'utilitza en l'efector final de la làmina?

A:Els efectors finals de les oblies solen estar fets de materials que ofereixen una alta resistència, estabilitat tèrmica i baixa generació de partícules. Entre aquests, la ceràmica de carbur de silici (SiC) és un dels materials més avançats i preferits. Les ceràmiques de SiC són extremadament dures, tèrmicament estables, químicament inertes i resistents al desgast, cosa que les fa ideals per manipular oblies de silici delicades en entorns de sala blanca i buit. En comparació amb el quars o els metalls recoberts, el SiC ofereix una estabilitat dimensional superior a altes temperatures i no despren partícules, cosa que ajuda a prevenir la contaminació.