SiC semiaïllant sobre substrats compostos de Si
Elements | Especificació | Elements | Especificació |
Diàmetre | 150 ± 0,2 mm | Orientació | <111>/<100>/<110> i així successivament |
Politipus | 4H | Tipus | P/N |
Resistivitat | ≥1E8ohm·cm | Planitud | Plana/osca |
Capa de transferència Gruix | ≥0,1 μm | Xip de vora, rascada, esquerda (inspecció visual) | Cap |
Buit | ≤5ea/hòstia (2mm>D>0,5mm) | TTV | ≤5μm |
Rugositat frontal | Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm) | Gruix | 500/625/675±25μm |
Aquesta combinació ofereix una sèrie d'avantatges en la fabricació d'electrònica:
Compatibilitat: l'ús d'un substrat de silici el fa compatible amb les tècniques estàndard de processament basades en silici i permet la integració amb els processos de fabricació de semiconductors existents.
Rendiment a alta temperatura: SiC té una conductivitat tèrmica excel·lent i pot funcionar a altes temperatures, el que el fa adequat per a aplicacions electròniques d'alta potència i alta freqüència.
Alta tensió de ruptura: els materials SiC tenen una alta tensió de ruptura i poden suportar camps elèctrics elevats sense avaria elèctrica.
Pèrdua d'energia reduïda: els substrats de SiC permeten una conversió d'energia més eficient i una menor pèrdua d'energia en dispositius electrònics en comparació amb els materials tradicionals basats en silici.
Ample de banda: SiC té un ample de banda ampli, permetent el desenvolupament de dispositius electrònics que puguin funcionar a temperatures més altes i densitats de potència més altes.
Així, el SiC semiaïllant sobre substrats compostos de Si combina la compatibilitat del silici amb les propietats elèctriques i tèrmiques superiors del SiC, el que el fa adequat per a aplicacions electròniques d'alt rendiment.
Embalatge i lliurament
1. Utilitzarem un plàstic protector i una caixa personalitzada per empaquetar. (Material respectuós amb el medi ambient)
2. Podríem fer un embalatge personalitzat segons la quantitat.
3. DHL/Fedex/UPS Express sol trigar uns 3-7 dies laborables a la destinació.