logotip de xinkehui
  • Inici
  • Empresa
    • Sobre Xinkehui
    • Descarrega
  • Productes
    • Substrat
      • Safir
      • SiC
      • Silici
      • LiTaO3_LiNbO3
      • AlN
      • InP
      • GaAs
      • Altres vidres
      • InSb
    • Productes òptics
      • Quars, BF33 i K9
      • Cristall de safir
      • Tub i vareta de safir
      • Finestres de safir
    • capa epitaxial
      • Oblia d'epitaxia de GaN
    • productes ceràmics
    • Portador d'oblies
    • Equips semiconductors
    • Gema preciosa de safir sintètic
    • Material de monocristall metàl·lic
  • Notícies
  • Contacte
English
  • Inici
  • Productes

Categories

  • Substrat
    • Safir
    • SiC
    • Silici
    • LiTaO3_LiNbO3
    • AlN
    • GaAs
    • InP
    • InSb
    • Altres vidres
  • Productes òptics
    • Quars, BF33 i K9
    • Cristall de safir
    • Tub i vareta de safir
    • Finestres de safir
  • capa epitaxial
    • Oblia d'epitaxia de GaN
  • productes ceràmics
  • Portador d'oblies
  • Gema preciosa de safir sintètic
  • Equips semiconductors
  • Material de monocristall metàl·lic

Productes destacats

  • Oblívia conductiva de SiC 4H-N de 8 polzades i 200 mm, grau de recerca simulada
    Conductor de 8 polzades i 200 mm de SiC 4H-N...
  • Substrat portador de galeta de safir de 150 mm i 6 polzades, 0,7 mm i 0,5 mm, pla C SSP/DSP
    150 mm 6 polzades 0,7 mm 0,5 mm Safir...
  • Oblia de safir de 4 polzades, pla C, SSP/DSP, 0,43 mm i 0,65 mm
    Oblies de safir de 4 polzades C-Plane SS...
  • Finestra de safir Lent de vidre de safir Monocristall Al2O3 material
    Finestra de safir Vidre de safir l...
  • Finestra de safir amb oblia de safir de dia 50,8 mm DSP/SSP d'alta transmitància òptica
    Oblia de safir de diàmetre de 50,8 mm...
  • Plantilla d'AlN de 50,8 mm/100 mm sobre NPSS/FSS Plantilla d'AlN sobre safir
    Plantilla d'AlN de 50,8 mm/100 mm sobre NPS...

Productes

  • Lingot de carbur de silici SiC de 6 polzades tipus N, gruix de primera qualitat/falsificació, es pot personalitzar

    Lingot de carbur de silici SiC de 6 polzades tipus N, gruix de primera qualitat/falsificació, es pot personalitzar

  • Lingot semiaïllant de carbur de silici 4H-SiC de 6 polzades, grau fictici

    Lingot semiaïllant de carbur de silici 4H-SiC de 6 polzades, grau fictici

  • Lingot de SiC tipus 4H, diàmetre de 4 polzades i gruix de 6 polzades, grau de recerca/fictició de 5-10 mm

    Lingot de SiC tipus 4H, diàmetre de 4 polzades i gruix de 6 polzades, grau de recerca/fictició de 5-10 mm

  • Safir Boule de 6 polzades, monocristall en blanc de safir, Al2O3 99,999%

    Safir Boule de 6 polzades, monocristall en blanc de safir, Al2O3 99,999%

  • Tub de safir de mida petita K9 tub d'alta duresa transparent sense polir recerca de la indústria militar

    Tub de safir de mida petita K9 tub d'alta duresa transparent sense polir recerca de la indústria militar

  • Tub de safir sense polir de mida petita Tub de vidre Al2O3

    Tub de safir sense polir de mida petita Tub de vidre Al2O3

  • Personalització de la forma de la finestra de vidre òptic de prisma de quars BF33, alta duresa i resistència al desgast

    Personalització de la forma de la finestra de vidre òptic de prisma de quars BF33, alta duresa i resistència al desgast

  • Lent Prisma Vidre òptic DSP Mida personalitzada 99,999% Al2O3 Alta transmitància

    Lent Prisma Vidre òptic DSP Mida personalitzada 99,999% Al2O3 Alta transmitància

  • Substrat Sic, oblia de carbur de silici tipus 4H-N, alta duresa, resistència a la corrosió, polit de primera qualitat

    Substrat Sic, oblia de carbur de silici tipus 4H-N, alta duresa, resistència a la corrosió, polit de primera qualitat

  • Oblia de carbur de silici de 2 polzades, tipus 6H-N, grau de primera qualitat, grau de recerca, grau fictici, 330 μm i 430 μm de gruix

    Oblia de carbur de silici de 2 polzades, tipus 6H-N, grau de primera qualitat, grau de recerca, grau fictici, 330 μm i 430 μm de gruix

  • Substrat de carbur de silici de 2 polzades 6H-N polit de doble cara de diàmetre de 50,8 mm de grau de producció, grau de recerca

    Substrat de carbur de silici de 2 polzades 6H-N polit de doble cara de diàmetre de 50,8 mm de grau de producció, grau de recerca

  • Substrat de coure cúbic de coure Monocristall Oblea de Cu 100 110 111 Orientació SSP Puresa DSP 99,99%

    Substrat de coure cúbic de coure Monocristall Oblea de Cu 100 110 111 Orientació SSP Puresa DSP 99,99%

<< < Anterior15161718192021Següent >>> Pàgina 18 / 30

NOTÍCIES

  • Ulleres AR de guia d'ones de carbur de silici de grau òptic: preparació de substrats semiaïllants d'alta puresa
    08/08/2025

    Ulleres AR de guia d'ones de carbur de silici de grau òptic: preparació de superfícies semiaïllants d'alta puresa...

  • Creixement heteroepitaxial de 3C-SiC sobre substrats de silici amb diferents orientacions
    08/08/2025

    Creixement heteroepitaxial de 3C-SiC sobre substrats de silici amb diferents orientacions

  • Ceràmica de carbur de silici vs. semiconductor Carbur de silici: el mateix material amb dos destins diferents
    30/07/2025

    Ceràmica de carbur de silici vs. semiconductor de carbur de silici: el mateix material amb dues característiques diferents...

  • Avenços en tecnologies de preparació ceràmica de carbur de silici d'alta puresa
    30/07/2025

    Avenços en tecnologies de preparació ceràmica de carbur de silici d'alta puresa

  • Principis tècnics i processos de les oblies epitaxials LED
    25/07/2025

    Principis tècnics i processos de les oblies epitaxials LED

CONTACTE

  • Rm1-1805, No.851, Dianshanhu Road; Àrea de Qingpu; Ciutat de Xangai, Xina//201799
  • +86 158 0194 2596
  • +86 187 0175 6522
  • eric@xkh-semitech.com
  • doris@xkh-semitech.com

CONSULTA

Per a consultes sobre els nostres productes o llista de preus, deixeu-nos el vostre correu electrònic i ens posarem en contacte amb vosaltres en un termini de 24 hores.

  • Facebook
  • Twitter
  • LinkedIn
  • YouTube
Enviar
© Drets d'autor - 2010-2023: Tots els drets reservats. Mapa del lloc - AMP Mòbil
6 polzades, Tub de safir, Oblia Sic, Oblies de carbur de silici, Personalitzat, Substrat Sic,
Inuiria en línia
  • Enviar correu electrònic
  • x
    • WhatsApp

      +86 15801942596 +86 18701756522

    • qq

      eric@xkh-semitech.com doris@xkh-semitech.com

    • WhatsApp

      +86 15801942596 +86 18701756522

    Premeu Intro per cercar o ESC per tancar
    • English
    • French
    • German
    • Portuguese
    • Spanish
    • Russian
    • Japanese
    • Korean
    • Arabic
    • Irish
    • Greek
    • Turkish
    • Italian
    • Danish
    • Romanian
    • Indonesian
    • Czech
    • Afrikaans
    • Swedish
    • Polish
    • Basque
    • Catalan
    • Esperanto
    • Hindi
    • Lao
    • Albanian
    • Amharic
    • Armenian
    • Azerbaijani
    • Belarusian
    • Bengali
    • Bosnian
    • Bulgarian
    • Cebuano
    • Chichewa
    • Corsican
    • Croatian
    • Dutch
    • Estonian
    • Filipino
    • Finnish
    • Frisian
    • Galician
    • Georgian
    • Gujarati
    • Haitian
    • Hausa
    • Hawaiian
    • Hebrew
    • Hmong
    • Hungarian
    • Icelandic
    • Igbo
    • Javanese
    • Kannada
    • Kazakh
    • Khmer
    • Kurdish
    • Kyrgyz
    • Latin
    • Latvian
    • Lithuanian
    • Luxembou..
    • Macedonian
    • Malagasy
    • Malay
    • Malayalam
    • Maltese
    • Maori
    • Marathi
    • Mongolian
    • Burmese
    • Nepali
    • Norwegian
    • Pashto
    • Persian
    • Punjabi
    • Serbian
    • Sesotho
    • Sinhala
    • Slovak
    • Slovenian
    • Somali
    • Samoan
    • Scots Gaelic
    • Shona
    • Sindhi
    • Sundanese
    • Swahili
    • Tajik
    • Tamil
    • Telugu
    • Thai
    • Ukrainian
    • Urdu
    • Uzbek
    • Vietnamese
    • Welsh
    • Xhosa
    • Yiddish
    • Yoruba
    • Zulu
    • Kinyarwanda
    • Tatar
    • Oriya
    • Turkmen
    • Uyghur