Resum de l'oblea de SiC
Les oblies de carbur de silici (SiC) s'han convertit en el substrat preferit per a l'electrònica d'alta potència, alta freqüència i alta temperatura en els sectors de l'automoció, les energies renovables i l'aeroespacial. La nostra cartera cobreix politips clau i esquemes de dopatge: 4H dopat amb nitrogen (4H-N), semiaïllant d'alta puresa (HPSI), 3C dopat amb nitrogen (3C-N) i 4H/6H de tipus p (4H/6H-P), que s'ofereixen en tres graus de qualitat: PRIME (substrats totalment polits, de grau de dispositiu), DUMMY (solapats o sense polir per a proves de procés) i RESEARCH (capes epidèmiques personalitzades i perfils de dopatge per a R+D). Els diàmetres de les oblies abasten 2″, 4″, 6″, 8″ i 12″ per adaptar-se tant a eines tradicionals com a fàbriques avançades. També subministrem boles monocristal·lines i cristalls de sembra orientats amb precisió per donar suport al creixement de cristalls intern.
Les nostres oblies 4H-N presenten densitats de portador d'1×10¹⁶ a 1×10¹⁹ cm⁻³ i resistivitats de 0,01–10 Ω·cm, oferint una excel·lent mobilitat d'electrons i camps de ruptura superiors a 2 MV/cm, ideal per a díodes Schottky, MOSFET i JFET. Els substrats HPSI superen la resistivitat d'1×10¹² Ω·cm amb densitats de microtubs inferiors a 0,1 cm⁻², garantint una fuita mínima per a dispositius de RF i microones. El Cubic 3C-N, disponible en formats de 2″ i 4″, permet l'heteroepitaxia sobre silici i admet noves aplicacions fotòniques i MEMS. Les oblies 4H/6H-P de tipus P, dopades amb alumini a 1×10¹⁶–5×10¹⁸ cm⁻³, faciliten arquitectures de dispositius complementàries.
Les oblies PRIME se sotmeten a un poliment químic-mecànic fins a una rugositat superficial de <0,2 nm RMS, una variació de gruix total inferior a 3 µm i una curvatura <10 µm. Els substrats DUMMY acceleren les proves de muntatge i empaquetament, mentre que les oblies RESEARCH presenten gruixos d'epi-capa de 2 a 30 µm i un dopatge a mida. Tots els productes estan certificats per difracció de raigs X (corba d'oscil·lació <30 arcsec) i espectroscòpia Raman, amb proves elèctriques (mesures Hall, perfils C-V i escaneig de microtubs) que garanteixen el compliment de JEDEC i SEMI.
Es cultiven boletes de fins a 150 mm de diàmetre mitjançant PVT i CVD amb densitats de dislocacions inferiors a 1×10³ cm⁻² i un baix nombre de microtubs. Els cristalls de sembra es tallen a 0,1° de l'eix c per garantir un creixement reproduïble i un alt rendiment de tall.
Combinant múltiples politipus, variants de dopatge, graus de qualitat, mides de les oblies i producció interna de cristalls de llavor i boles, la nostra plataforma de substrats de SiC simplifica les cadenes de subministrament i accelera el desenvolupament de dispositius per a vehicles elèctrics, xarxes intel·ligents i aplicacions en entorns durs.
Resum de l'oblea de SiC
Les oblies de carbur de silici (SiC) s'han convertit en el substrat preferit per a l'electrònica d'alta potència, alta freqüència i alta temperatura en els sectors de l'automoció, les energies renovables i l'aeroespacial. La nostra cartera cobreix politips clau i esquemes de dopatge: 4H dopat amb nitrogen (4H-N), semiaïllant d'alta puresa (HPSI), 3C dopat amb nitrogen (3C-N) i 4H/6H de tipus p (4H/6H-P), que s'ofereixen en tres graus de qualitat: PRIME (substrats totalment polits, de grau de dispositiu), DUMMY (solapats o sense polir per a proves de procés) i RESEARCH (capes epidèmiques personalitzades i perfils de dopatge per a R+D). Els diàmetres de les oblies abasten 2″, 4″, 6″, 8″ i 12″ per adaptar-se tant a eines tradicionals com a fàbriques avançades. També subministrem boles monocristal·lines i cristalls de sembra orientats amb precisió per donar suport al creixement de cristalls intern.
Les nostres oblies 4H-N presenten densitats de portador d'1×10¹⁶ a 1×10¹⁹ cm⁻³ i resistivitats de 0,01–10 Ω·cm, oferint una excel·lent mobilitat d'electrons i camps de ruptura superiors a 2 MV/cm, ideal per a díodes Schottky, MOSFET i JFET. Els substrats HPSI superen la resistivitat d'1×10¹² Ω·cm amb densitats de microtubs inferiors a 0,1 cm⁻², garantint una fuita mínima per a dispositius de RF i microones. El Cubic 3C-N, disponible en formats de 2″ i 4″, permet l'heteroepitaxia sobre silici i admet noves aplicacions fotòniques i MEMS. Les oblies 4H/6H-P de tipus P, dopades amb alumini a 1×10¹⁶–5×10¹⁸ cm⁻³, faciliten arquitectures de dispositius complementàries.
Les oblies PRIME se sotmeten a un poliment químic-mecànic fins a una rugositat superficial de <0,2 nm RMS, una variació de gruix total inferior a 3 µm i una curvatura <10 µm. Els substrats DUMMY acceleren les proves de muntatge i empaquetament, mentre que les oblies RESEARCH presenten gruixos d'epi-capa de 2 a 30 µm i un dopatge a mida. Tots els productes estan certificats per difracció de raigs X (corba d'oscil·lació <30 arcsec) i espectroscòpia Raman, amb proves elèctriques (mesures Hall, perfils C-V i escaneig de microtubs) que garanteixen el compliment de JEDEC i SEMI.
Es cultiven boletes de fins a 150 mm de diàmetre mitjançant PVT i CVD amb densitats de dislocacions inferiors a 1×10³ cm⁻² i un baix nombre de microtubs. Els cristalls de sembra es tallen a 0,1° de l'eix c per garantir un creixement reproduïble i un alt rendiment de tall.
Combinant múltiples politipus, variants de dopatge, graus de qualitat, mides de les oblies i producció interna de cristalls de llavor i boles, la nostra plataforma de substrats de SiC simplifica les cadenes de subministrament i accelera el desenvolupament de dispositius per a vehicles elèctrics, xarxes intel·ligents i aplicacions en entorns durs.
Imatge de l'oblea de SiC
Fitxa tècnica de l'oblea de SiC tipus 4H-N de 6 polzades
| Fitxa tècnica de les oblies de SiC de 6 polzades | ||||
| Paràmetre | Subparàmetre | Grau Z | Grau P | Grau D |
| Diàmetre | 149,5–150,0 mm | 149,5–150,0 mm | 149,5–150,0 mm | |
| Gruix | 4H-N | 350 µm ± 15 µm | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm |
| Gruix | 4H-SI | 500 µm ± 15 µm | 500 µm ± 25 µm | 500 µm ± 25 µm |
| Orientació de l'oblia | Fora de l'eix: 4,0° cap a <11-20> ±0,5° (4H-N); En l'eix: <0001> ±0,5° (4H-SI) | Fora de l'eix: 4,0° cap a <11-20> ±0,5° (4H-N); En l'eix: <0001> ±0,5° (4H-SI) | Fora de l'eix: 4,0° cap a <11-20> ±0,5° (4H-N); En l'eix: <0001> ±0,5° (4H-SI) | |
| Densitat de micropipes | 4H-N | ≤ 0,2 cm⁻² | ≤ 2 cm⁻² | ≤ 15 cm⁻² |
| Densitat de micropipes | 4H-SI | ≤ 1 cm⁻² | ≤ 5 cm⁻² | ≤ 15 cm⁻² |
| Resistivitat | 4H-N | 0,015–0,024 Ω·cm | 0,015–0,028 Ω·cm | 0,015–0,028 Ω·cm |
| Resistivitat | 4H-SI | ≥ 1×10¹⁰ Ω·cm | ≥ 1×10⁵ Ω·cm | |
| Orientació plana primària | [10-10] ± 5,0° | [10-10] ± 5,0° | [10-10] ± 5,0° | |
| Longitud plana primària | 4H-N | 47,5 mm ± 2,0 mm | ||
| Longitud plana primària | 4H-SI | Osca | ||
| Exclusió de vores | 3 mm | |||
| Deformació/LTV/TTV/Arc | ≤2,5 µm/≤6 µm/≤25 µm/≤35 µm | ≤5 µm / ≤15 µm / ≤40 µm / ≤60 µm | ||
| Rugositat | Polonès | Ra ≤ 1 nm | ||
| Rugositat | CMP | Ra ≤ 0,2 nm | Ra ≤ 0,5 nm | |
| Esquerdes de vora | Cap | Longitud acumulada ≤ 20 mm, individual ≤ 2 mm | ||
| Plaques hexagonals | Àrea acumulada ≤ 0,05% | Àrea acumulada ≤ 0,1% | Àrea acumulada ≤ 1% | |
| Àrees de politipus | Cap | Àrea acumulada ≤ 3% | Àrea acumulada ≤ 3% | |
| Inclusions de carboni | Àrea acumulada ≤ 0,05% | Àrea acumulada ≤ 3% | ||
| Ratllades superficials | Cap | Longitud acumulada ≤ 1 × diàmetre de l'oblia | ||
| Xips de vora | No es permet cap amplada i profunditat ≥ 0,2 mm | Fins a 7 estelles, ≤ 1 mm cadascuna | ||
| TSD (Dislocació del cargol de rosca) | ≤ 500 cm⁻² | N/A | ||
| BPD (Dislocació del Pla Base) | ≤ 1000 cm⁻² | N/A | ||
| Contaminació superficial | Cap | |||
| Embalatge | Casset multi-oblia o contenidor d'una sola oblia | Casset multi-oblia o contenidor d'una sola oblia | Casset multi-oblia o contenidor d'una sola oblia | |
Fitxa tècnica de l'oblea de SiC tipus 4H-N de 4 polzades
| Fitxa tècnica d'una oblia de SiC de 4 polzades | |||
| Paràmetre | Producció zero de MPD | Grau de producció estàndard (grau P) | Grau de simulació (grau D) |
| Diàmetre | 99,5 mm–100,0 mm | ||
| Gruix (4H-N) | 350 µm ± 15 µm | 350 µm ± 25 µm | |
| Gruix (4H-Si) | 500 µm ± 15 µm | 500 µm ± 25 µm | |
| Orientació de l'oblia | Fora de l'eix: 4,0° cap a <1120> ±0,5° per a 4H-N; En l'eix: <0001> ±0,5° per a 4H-Si | ||
| Densitat de microtubs (4H-N) | ≤0,2 cm⁻² | ≤2 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| Densitat de microtubs (4H-Si) | ≤1 cm⁻² | ≤5 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| Resistivitat (4H-N) | 0,015–0,024 Ω·cm | 0,015–0,028 Ω·cm | |
| Resistivitat (4H-Si) | ≥1E10 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |
| Orientació plana primària | [10-10] ±5,0° | ||
| Longitud plana primària | 32,5 mm ±2,0 mm | ||
| Longitud plana secundària | 18,0 mm ±2,0 mm | ||
| Orientació plana secundària | Cara de silici cap amunt: 90° en sentit horari des del pla principal ±5,0° | ||
| Exclusió de vores | 3 mm | ||
| LTV/TTV/Deformació d'arc | ≤2,5 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm | ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm | |
| Rugositat | Ra del poliment ≤1 nm; Ra del CMP ≤0,2 nm | Ra ≤0,5 nm | |
| Esquerdes a les vores per llum d'alta intensitat | Cap | Cap | Longitud acumulada ≤10 mm; longitud individual ≤2 mm |
| Plaques hexagonals per llum d'alta intensitat | Àrea acumulada ≤0,05% | Àrea acumulada ≤0,05% | Àrea acumulada ≤0,1% |
| Àrees politípiques per llum d'alta intensitat | Cap | Àrea acumulada ≤3% | |
| Inclusions visuals de carboni | Àrea acumulada ≤0,05% | Àrea acumulada ≤3% | |
| Ratllades de la superfície de silici per llum d'alta intensitat | Cap | Longitud acumulada ≤1 diàmetre de l'oblia | |
| Xips de vora per llum d'alta intensitat | No es permet cap amplada i profunditat ≥0,2 mm | 5 permesos, ≤1 mm cadascun | |
| Contaminació de la superfície de silici per llum d'alta intensitat | Cap | ||
| Luxació del cargol de rosca | ≤500 cm⁻² | N/A | |
| Embalatge | Casset multi-oblia o contenidor d'una sola oblia | Casset multi-oblia o contenidor d'una sola oblia | Casset multi-oblia o contenidor d'una sola oblia |
Fitxa tècnica de l'oblea SiC tipus HPSI de 4 polzades
| Fitxa tècnica de l'oblea SiC tipus HPSI de 4 polzades | |||
| Paràmetre | Grau de producció MPD zero (grau Z) | Grau de producció estàndard (grau P) | Grau de simulació (grau D) |
| Diàmetre | 99,5–100,0 mm | ||
| Gruix (4H-Si) | 500 µm ±20 µm | 500 µm ±25 µm | |
| Orientació de l'oblia | Fora de l'eix: 4,0° cap a <11-20> ±0,5° per a 4H-N; En l'eix: <0001> ±0,5° per a 4H-Si | ||
| Densitat de microtubs (4H-Si) | ≤1 cm⁻² | ≤5 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| Resistivitat (4H-Si) | ≥1E9 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |
| Orientació plana primària | (10-10) ±5,0° | ||
| Longitud plana primària | 32,5 mm ±2,0 mm | ||
| Longitud plana secundària | 18,0 mm ±2,0 mm | ||
| Orientació plana secundària | Cara de silici cap amunt: 90° en sentit horari des del pla principal ±5,0° | ||
| Exclusió de vores | 3 mm | ||
| LTV/TTV/Deformació d'arc | ≤3 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm | ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm | |
| Rugositat (cara C) | Polonès | Ra ≤1 nm | |
| Rugositat (cara de Si) | CMP | Ra ≤0,2 nm | Ra ≤0,5 nm |
| Esquerdes a les vores per llum d'alta intensitat | Cap | Longitud acumulada ≤10 mm; longitud individual ≤2 mm | |
| Plaques hexagonals per llum d'alta intensitat | Àrea acumulada ≤0,05% | Àrea acumulada ≤0,05% | Àrea acumulada ≤0,1% |
| Àrees politípiques per llum d'alta intensitat | Cap | Àrea acumulada ≤3% | |
| Inclusions visuals de carboni | Àrea acumulada ≤0,05% | Àrea acumulada ≤3% | |
| Ratllades de la superfície de silici per llum d'alta intensitat | Cap | Longitud acumulada ≤1 diàmetre de l'oblia | |
| Xips de vora per llum d'alta intensitat | No es permet cap amplada i profunditat ≥0,2 mm | 5 permesos, ≤1 mm cadascun | |
| Contaminació de la superfície de silici per llum d'alta intensitat | Cap | Cap | |
| Luxació del cargol de rosca | ≤500 cm⁻² | N/A | |
| Embalatge | Casset multi-oblia o contenidor d'una sola oblia | ||
Data de publicació: 30 de juny de 2025