Notícies
-
Tantalat de liti de pel·lícula fina (LTOI): el proper material estrella per a moduladors d'alta velocitat?
El material de tantalat de liti de pel·lícula fina (LTOI) està emergint com una nova força significativa en el camp de l'òptica integrada. Aquest any s'han publicat diversos treballs d'alt nivell sobre moduladors LTOI, amb oblies LTOI d'alta qualitat proporcionades pel professor Xin Ou de la Ins de Xangai...Llegir més -
Coneixement profund del sistema SPC en la fabricació de oblies
El SPC (Control Estadístic de Processos) és una eina crucial en el procés de fabricació de làmines, que s'utilitza per supervisar, controlar i millorar l'estabilitat de diverses etapes de la fabricació. 1. Visió general del sistema SPC El SPC és un mètode que utilitza esta...Llegir més -
Per què es realitza l'epitaxia en un substrat d'oblea?
El creixement d'una capa addicional d'àtoms de silici sobre un substrat d'oblia de silici té diversos avantatges: en els processos de silici CMOS, el creixement epitaxial (EPI) sobre el substrat d'oblia és un pas crític del procés. 1. Millorar la qualitat del cristall...Llegir més -
Principis, processos, mètodes i equips per a la neteja de galetes
La neteja en humit (Wet Clean) és un dels passos crítics en els processos de fabricació de semiconductors, destinat a eliminar diversos contaminants de la superfície de l'oblea per garantir que els passos posteriors del procés es puguin realitzar sobre una superfície neta. ...Llegir més -
La relació entre els plans cristal·lins i l'orientació del cristall.
Els plans cristal·lins i l'orientació del cristall són dos conceptes bàsics en cristal·lografia, estretament relacionats amb l'estructura cristal·lina de la tecnologia de circuits integrats basats en silici. 1. Definició i propietats de l'orientació del cristall L'orientació del cristall representa una direcció específica...Llegir més -
Quins són els avantatges dels processos Through Glass Via (TGV) i Through Silicon Via, TSV (TSV) respecte a TGV?
Els avantatges dels processos de via a través del vidre (TGV) i via a través del silici (TSV) respecte al TGV són principalment: (1) excel·lents característiques elèctriques d'alta freqüència. El material de vidre és un material aïllant, la constant dielèctrica és només aproximadament 1/3 de la del material de silici i el factor de pèrdua és de 2-...Llegir més -
Aplicacions de substrats de carbur de silici conductors i semiaïllats
El substrat de carbur de silici es divideix en tipus semiaïllant i tipus conductor. Actualment, l'especificació principal dels productes de substrat de carbur de silici semiaïllat és de 4 polzades. En el carbur de silici conductor...Llegir més -
També hi ha diferències en l'aplicació de les oblies de safir amb diferents orientacions de cristall?
El safir és un monocristall d'alúmina, pertany al sistema cristal·lí tripartit, estructura hexagonal, la seva estructura cristal·lina està composta per tres àtoms d'oxigen i dos àtoms d'alumini en tipus d'enllaç covalent, disposats molt estretament, amb una forta cadena d'enllaç i energia de xarxa, mentre que el seu cristall inte...Llegir més -
Quina diferència hi ha entre un substrat conductor de SiC i un substrat semiaïllat?
El dispositiu de carbur de silici SiC es refereix al dispositiu fet de carbur de silici com a matèria primera. Segons les diferents propietats de resistència, es divideix en dispositius d'alimentació de carbur de silici conductor i dispositius de radiofreqüència de carbur de silici semiaïllats. Les principals formes del dispositiu i...Llegir més -
Un article et guia com a mestre del TGV
Què és el TGV? TGV (Through-Glass via), una tecnologia per crear forats passants en un substrat de vidre. En termes senzills, el TGV és un edifici de gran alçada que perfora, omple i connecta amunt i avall el vidre per construir circuits integrats a la superfície de vidre...Llegir més -
Quins són els indicadors de l'avaluació de la qualitat de la superfície de les oblies?
Amb el desenvolupament continu de la tecnologia dels semiconductors, a la indústria dels semiconductors i fins i tot a la indústria fotovoltaica, els requisits de qualitat superficial del substrat de la làmina epitaxial també són molt estrictes. Aleshores, quins són els requisits de qualitat per a...Llegir més -
Quant saps sobre el procés de creixement de monocristalls de SiC?
El carbur de silici (SiC), com a material semiconductor de banda ampla, juga un paper cada cop més important en l'aplicació de la ciència i la tecnologia modernes. El carbur de silici té una excel·lent estabilitat tèrmica, una alta tolerància al camp elèctric, una conductivitat intencionada i...Llegir més