Substrat de safir d'elèctrode i substrats LED de pla C d'hòstia

Substrat de safir d'elèctrodes i substrats LED de pla C d'oblea Imatge destacada

Descripció breu:

A partir de l'actualització contínua de la tecnologia de safir i la ràpida expansió del mercat d'aplicacions, les hòsties de substrat de 4 i 6 polzades seran més adoptades per les empreses de xips convencionals a causa dels seus avantatges inherents a la utilització de la producció.

Envieu-nos un correu electrònic

Detall del producte

Etiquetes de producte

Especificació

GENERAL
Fórmula química	Al2O3
Estructura de cristall	Sistema hexagonal (hk o 1)
Dimensió cel·lular unitat	a=4,758 Å, Å c=12,991 Å, c:a=2,730
FÍSIQUES
	mètrica	Anglès (Imperial)
Densitat	3,98 g/cc	0,144 lliures/in3
Duresa	1525 - 2000 Knoop, 9 mhos	3700 ° F
Punt de fusió	2310 K (2040 ° C)
ESTRUCTURALS
Resistència a la tracció	275 MPa a 400 MPa	40.000 a 58.000 psi
Resistència a la tracció a 20 °C		58.000 psi (mínim disseny)
Resistència a la tracció a 500 °C		40.000 psi (disseny mín.)
Resistència a la tracció a 1000 °C	355 MPa	52.000 psi (mínim de disseny)
Força a la flexió	480 MPa a 895 MPa	70.000 a 130.000 psi
Resistència a la compressió	2,0 GPa (última)	300.000 psi (última)

Safir com a substrat de circuit semiconductors

Les plaques primes de safir van ser el primer ús reeixit d'un substrat aïllant sobre el qual es va dipositar silici per fabricar circuits integrats anomenats silici sobre safir (SOS). A més de les seves excel·lents propietats d'aïllament elèctric, el safir té una alta conductivitat tèrmica. Els xips CMOS del safir són especialment adequats per a aplicacions de radiofreqüència (RF) d'alta potència com ara telèfons mòbils, ràdios de banda de seguretat pública i sistemes de comunicació per satèl·lit.

Les hòsties de safir d'un sol cristall també s'utilitzen com a substrats a la indústria dels semiconductors per al cultiu de dispositius basats en nitrur de gal·li (GaN). L'ús de safir redueix significativament els costos, ja que és aproximadament 1/7 del cost del germani. El GaN en safir s'utilitza habitualment en els díodes emissors de llum blava (LED).

Utilitzar com a material de finestra

El safir sintètic (de vegades conegut com a vidre de safir) s'utilitza sovint com a material de finestra perquè és molt transparent entre longituds d'ona de llum de 150 nm (ultraviolada) i 5500 nm (infraroig) (l'espectre visible oscil·la entre uns 380 nm i 750 nm). i té una resistència molt alta a les ratllades. Avantatges clau de les finestres de safir

Inclou

Ample de banda de transmissió òptica extremadament ampli, des dels UV fins a la llum infraroja propera

Més fort que altres materials òptics o finestres de vidre

Altament resistent a les ratllades i a l'abrasió (duresa mineral de 9 a l'escala de Mohs, superada només per al diamant i la moissanita entre les substàncies naturals)

Punt de fusió molt alt (2030 °C)