Plantilla AlN d'AlN sobre FSS de 2 polzades i 4 polzades de NPSS/FSS per a l'àrea de semiconductors

Descripció breu:

Les oblies d'AlN sobre FSS (substrat flexible) ofereixen una combinació única de les propietats excepcionals de conductivitat tèrmica, resistència mecànica i aïllament elèctric del nitrur d'alumini (AlN), juntament amb la flexibilitat d'un substrat d'alt rendiment. Aquestes oblies de 2 i 4 polzades estan dissenyades específicament per a aplicacions avançades de semiconductors, especialment on la gestió tèrmica i la flexibilitat del dispositiu són crítiques. Amb l'opció de NPSS (substrat no polit) i FSS (substrat flexible) com a base, aquestes plantilles d'AlN són ideals per a aplicacions en electrònica de potència, dispositius de radiofreqüència i sistemes electrònics flexibles, on l'alta conductivitat tèrmica i la integració flexible són clau per millorar el rendiment i la fiabilitat dels dispositius.


Característiques

Propietats

Composició del material:
Nitrur d'alumini (AlN): capa ceràmica blanca d'alt rendiment que proporciona una excel·lent conductivitat tèrmica (normalment 200-300 W/m·K), un bon aïllament elèctric i una alta resistència mecànica.
Substrat flexible (FSS): pel·lícules polimèriques flexibles (com ara poliimida, PET, etc.) que ofereixen durabilitat i flexibilitat sense comprometre la funcionalitat de la capa d'AlN.

Mides de galeta disponibles:
2 polzades (50,8 mm)
4 polzades (100 mm)

Gruix:
Capa d'AlN: 100-2000 nm
Gruix del substrat FSS: 50µm-500µm (personalitzable segons els requisits)

Opcions d'acabat superficial:
NPSS (substrat no polit): superfície de substrat sense polir, adequada per a certes aplicacions que requereixen perfils superficials més rugosos per a una millor adherència o integració.
FSS (substrat flexible): pel·lícula flexible polida o sense polir, amb l'opció de superfícies llises o texturades, segons les necessitats específiques de l'aplicació.

Propietats elèctriques:
Aïllant: les propietats d'aïllament elèctric de l'AlN el fan ideal per a aplicacions de semiconductors d'alta tensió i potència.
Constant dielèctrica: ~9,5
Conductivitat tèrmica: 200-300 W/m·K (segons el grau i el gruix específics d'AlN)

Propietats mecàniques:
Flexibilitat: l'AlN es diposita sobre un substrat flexible (FSS) que permet la flexió i la flexibilitat.
Duresa superficial: l'AlN és molt resistent i resisteix els danys físics en condicions normals de funcionament.

Aplicacions

Dispositius d'alta potènciaIdeal per a electrònica de potència que requereix una alta dissipació tèrmica, com ara convertidors de potència, amplificadors de RF i mòduls LED d'alta potència.

Components de RF i microonesApte per a components com antenes, filtres i ressonadors on es necessita tant conductivitat tèrmica com flexibilitat mecànica.

Electrònica flexiblePerfecte per a aplicacions on els dispositius s'han d'adaptar a superfícies no planes o requereixen un disseny lleuger i flexible (per exemple, dispositius portables, sensors flexibles).

Envasos de semiconductorsS'utilitza com a substrat en l'encapsulament de semiconductors, oferint dissipació tèrmica en aplicacions que generen molta calor.

LEDs i optoelectrònicaPer a dispositius que requereixen un funcionament a alta temperatura amb una dissipació de calor robusta.

Taula de paràmetres

Propietat

Valor o interval

Mida de l'oblia 2 polzades (50,8 mm), 4 polzades (100 mm)
Gruix de la capa d'AlN 100 nm – 2000 nm
Gruix del substrat FSS 50µm – 500µm (personalitzable)
Conductivitat tèrmica 200 – 300 W/m·K
Propietats elèctriques Aïllant (constant dielèctrica: ~9,5)
Acabat superficial Polit o sense polir
Tipus de substrat NPSS (substrat no polit), FSS (substrat flexible)
Flexibilitat mecànica Alta flexibilitat, ideal per a electrònica flexible
Color De blanc a blanc trencat (segons el substrat)

Aplicacions

●Electrònica de potència:La combinació d'alta conductivitat tèrmica i flexibilitat fa que aquestes oblies siguin perfectes per a dispositius d'alimentació com ara convertidors de potència, transistors i reguladors de tensió que requereixen una dissipació de calor eficient.
●Dispositius de radiofreqüència/microones:A causa de les propietats tèrmiques superiors de l'AlN i la seva baixa conductivitat elèctrica, aquestes oblies s'utilitzen en components de radiofreqüència com ara amplificadors, oscil·ladors i antenes.
●Electrònica flexible:La flexibilitat de la capa FSS combinada amb l'excel·lent gestió tèrmica de l'AlN la converteix en una opció ideal per a electrònica i sensors portables.
●Embalatge de semiconductors:S'utilitza per a envasos de semiconductors d'alt rendiment on la dissipació tèrmica efectiva i la fiabilitat són crítiques.
●Aplicacions LED i optoelectròniques:El nitrur d'alumini és un material excel·lent per a envasos LED i altres dispositius optoelectrònics que requereixen una alta resistència a la calor.

Preguntes freqüents (Q&A)

P1: Quins són els beneficis d'utilitzar AlN en oblies FSS?

A1L'AlN sobre oblies FSS combinen l'alta conductivitat tèrmica i les propietats d'aïllament elèctric de l'AlN amb la flexibilitat mecànica d'un substrat polimèric. Això permet una millor dissipació de la calor en sistemes electrònics flexibles alhora que manté la integritat del dispositiu en condicions de flexió i estirament.

P2: Quines mides hi ha disponibles per a AlN en oblies FSS?

A2: Oferim2 polzadesi4 polzadesmides de les oblies. Es poden discutir mides personalitzades a petició per satisfer les necessitats específiques de la vostra aplicació.

P3: Puc personalitzar el gruix de la capa d'AlN?

A3Sí, el/la/els/lesGruix de la capa d'AlNes pot personalitzar, amb rangs típics dede 100 nm a 2000 nmsegons els requisits de la vostra aplicació.

Diagrama detallat

AlN sobre FSS01
AlN a FSS02
AlN a FSS03
AlN a FSS06 - 副本

  • Anterior:
  • Següent:

  • Escriu el teu missatge aquí i envia'ns-el