Hòstia de silici de 8 polzades tipus P/N (100) 1-100Ω substrat de recuperació maniquí
Introducció de caixa d'hòsties
La hòstia de silici de 8 polzades és un material de substrat de silici d'ús habitual i s'utilitza àmpliament en el procés de fabricació de circuits integrats. Aquestes hòsties de silici s'utilitzen habitualment per fer diversos tipus de circuits integrats, inclosos microprocessadors, xips de memòria, sensors i altres dispositius electrònics. Les hòsties de silici de 8 polzades s'utilitzen habitualment per fer xips de mides relativament grans, amb avantatges que inclouen una superfície més gran i la capacitat de fer més xips en una sola hòstia de silici, cosa que augmenta l'eficiència de producció. La hòstia de silici de 8 polzades també té bones propietats mecàniques i químiques, que és adequada per a la producció de circuits integrats a gran escala.
Característiques del producte
Tipus P/N de 8 ", hòstia de silici polit (25 peces)
Orientació: 200
Resistivitat: 0,1 - 40 ohm•cm (pot variar d'un lot a un altre)
Gruix: 725 +/-20um
Prime/Monitor/Test Grau
PROPIETATS DEL MATERIAL
Paràmetre | Característic |
Tipus/Dopant | P, Bor N, Fòsfor N, Antimoni N, Arsènic |
Orientacions | <100>, <111> talleu les orientacions segons les especificacions del client |
Contingut d'oxigen | 1019ppmA Toleràncies personalitzades segons les especificacions del client |
Contingut de carboni | < 0,6 ppmA |
PROPIETATS MECÀNIQUES
Paràmetre | Primer | Monitor/Prova A | Prova |
Diàmetre | 200 ± 0,2 mm | 200 ± 0,2 mm | 200 ± 0,5 mm |
Gruix | 725 ± 20 µm (estàndard) | 725±25µm (estàndard) 450±25µm 625 ± 25 µm 1000 ± 25 µm 1300 ± 25 µm 1500±25 µm | 725 ± 50 µm (estàndard) |
TTV | < 5 µm | < 10 µm | < 15 µm |
Arc | < 30 µm | < 30 µm | < 50 µm |
Embolicar | < 30 µm | < 30 µm | < 50 µm |
Arrodoniment de vora | SEMI-STD | ||
Marcatge | Només SEMI-Plà primari, Pis SEMI-STD Jeida Flat, Notch |
Paràmetre | Primer | Monitor/Prova A | Prova |
Criteris de cara frontal | |||
Estat de la superfície | Química Mecànica Polit | Química Mecànica Polit | Química Mecànica Polit |
Rugositat superficial | < 2 A° | < 2 A° | < 2 A° |
Contaminació Partícules @ > 0,3 µm | = 20 | = 20 | = 30 |
Haze, Pits Pela de taronja | Cap | Cap | Cap |
Saw, Marks Estriacions | Cap | Cap | Cap |
Criteris de la part posterior | |||
Esquerdes, peus de gall, marques de serra, taques | Cap | Cap | Cap |
Estat de la superfície | Gravat càustic |