Hòstia de silici de 8 polzades tipus P/N (100) 1-100Ω substrat de recuperació maniquí

Descripció breu:

Gran inventari d'hòsties polides a doble cara, totes les hòsties de 50 a 400 mm de diàmetre Si la vostra especificació no està disponible al nostre inventari, hem establert relacions a llarg termini amb molts proveïdors que poden fabricar hòsties a mida per adaptar-se a qualsevol especificació única. Les hòsties polides de doble cara es poden utilitzar per a silici, vidre i altres materials utilitzats habitualment a la indústria dels semiconductors.


Detall del producte

Etiquetes de producte

Introducció de caixa d'hòsties

La hòstia de silici de 8 polzades és un material de substrat de silici d'ús habitual i s'utilitza àmpliament en el procés de fabricació de circuits integrats. Aquestes hòsties de silici s'utilitzen habitualment per fer diversos tipus de circuits integrats, inclosos microprocessadors, xips de memòria, sensors i altres dispositius electrònics. Les hòsties de silici de 8 polzades s'utilitzen habitualment per fer xips de mides relativament grans, amb avantatges que inclouen una superfície més gran i la capacitat de fer més xips en una sola hòstia de silici, cosa que augmenta l'eficiència de producció. La hòstia de silici de 8 polzades també té bones propietats mecàniques i químiques, que és adequada per a la producció de circuits integrats a gran escala.

Característiques del producte

Tipus P/N de 8 ", hòstia de silici polit (25 peces)

Orientació: 200

Resistivitat: 0,1 - 40 ohm•cm (pot variar d'un lot a un altre)

Gruix: 725 +/-20um

Prime/Monitor/Test Grau

PROPIETATS DEL MATERIAL

Paràmetre Característic
Tipus/Dopant P, Bor N, Fòsfor N, Antimoni N, Arsènic
Orientacions <100>, <111> talleu les orientacions segons les especificacions del client
Contingut d'oxigen 1019ppmA Toleràncies personalitzades segons les especificacions del client
Contingut de carboni < 0,6 ppmA

PROPIETATS MECÀNIQUES

Paràmetre Primer Monitor/Prova A Prova
Diàmetre 200 ± 0,2 mm 200 ± 0,2 mm 200 ± 0,5 mm
Gruix 725 ± 20 µm (estàndard) 725±25µm (estàndard) 450±25µm

625 ± 25 µm

1000 ± 25 µm

1300 ± 25 µm

1500±25 µm

725 ± 50 µm (estàndard)
TTV < 5 µm < 10 µm < 15 µm
Arc < 30 µm < 30 µm < 50 µm
Embolicar < 30 µm < 30 µm < 50 µm
Arrodoniment de vora SEMI-STD
Marcatge Només SEMI-Plà primari, Pis SEMI-STD Jeida Flat, Notch
Paràmetre Primer Monitor/Prova A Prova
Criteris de cara frontal
Estat de la superfície Química Mecànica Polit Química Mecànica Polit Química Mecànica Polit
Rugositat superficial < 2 A° < 2 A° < 2 A°
Contaminació

Partícules @ > 0,3 µm

= 20 = 20 = 30
Haze, Pits

Pela de taronja

Cap Cap Cap
Saw, Marks

Estriacions

Cap Cap Cap
Criteris de la part posterior
Esquerdes, peus de gall, marques de serra, taques Cap Cap Cap
Estat de la superfície Gravat càustic

Diagrama detallat

IMG_1463 (1)
IMG_1463 (2)
IMG_1463 (3)

  • Anterior:
  • Següent:

  • Escriu el teu missatge aquí i envia'ns-ho