Substrat de SiC 4H-N d'hòstia de grau de producció de SiC de 8 polzades

Hòstia de grau de producció de SiC de 8 polzades Substrat de SiC 4H-N Imatge destacada

Descripció breu:

Els substrats SiC de 8 polzades s'utilitzen en dispositius electrònics d'alta potència, com ara MOSFET de potència (Transistors d'efecte de camp semiconductor d'òxid metàl·lic), díodes Schottky i altres dispositius semiconductors de potència.

Envieu-nos un correu electrònic

Detall del producte

Etiquetes de producte

La taula següent mostra les especificacions de les nostres hòsties de SiC de 8 polzades:

Especificacions DSP SiC de tipus N de 8 polzades
Número	Article	Unitat	Producció	Recerca	Maniquí
1: paràmetres
1.1	politipus	--	4H	4H	4H
1.2	orientació superficial	°	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5
2: Paràmetre elèctric
2.1	dopant	--	Nitrogen de tipus n	Nitrogen de tipus n	Nitrogen de tipus n
2.2	resistivitat	ohm · cm	0,015~0,025	0,01 ~ 0,03	NA
3: Paràmetre mecànic
3.1	diàmetre	mm	200±0,2	200±0,2	200±0,2
3.2	gruix	μm	500±25	500±25	500±25
3.3	Orientació de l'osca	°	[1- 100]±5	[1- 100]±5	[1- 100]±5
3.4	Profunditat de l'osca	mm	1~1,5	1~1,5	1~1,5
3.5	LTV	μm	≤5 (10 mm * 10 mm)	≤5 (10 mm * 10 mm)	≤10 (10 mm * 10 mm)
3.6	TTV	μm	≤10	≤10	≤15
3.7	Arc	μm	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	Deformació	μm	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≤0,2	Ra≤0,2	Ra≤0,2
4: Estructura
4.1	densitat de microtubes	ua/cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	contingut metàl·lic	àtoms/cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	ua/cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	BPD	ua/cm2	≤2000	≤5000	NA
4.5	TED	ua/cm2	≤7000	≤10.000	NA
5.Qualitat frontal
5.1	davant	--	Si	Si	Si
5.2	Acabat superficial	--	Si-face CMP	Si-face CMP	Si-face CMP
5.3	partícula	ea/hòstia	≤100 (mida ≥0,3μm)	NA	NA
5.4	rascar	ea/hòstia	≤5, longitud total ≤200 mm	NA	NA
5.5	Edge estelles/sagnies/esquerdes/taques/contaminació	--	Cap	Cap	NA
5.6	Zones politipus	--	Cap	Àrea ≤10%	Àrea ≤30%
5.7	senyalització frontal	--	Cap	Cap	Cap
6: qualitat posterior
6.1	acabat posterior	--	MP cara C	MP cara C	MP cara C
6.2	rascar	mm	NA	NA	NA
6.3	Defectes posteriors vora fitxes/sagnies	--	Cap	Cap	NA
6.4	Rugositat de l'esquena	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	Marcació posterior	--	Osca	Osca	Osca
7: vora
7.1	vora	--	Xamfrà	Xamfrà	Xamfrà
8: Paquet
8.1	embalatge	--	Epi-preparat amb buit embalatge	Epi-preparat amb buit embalatge	Epi-preparat amb buit embalatge
8.2	embalatge	--	Multi-hòstia embalatge de casset	Multi-hòstia embalatge de casset	Multi-hòstia embalatge de casset