Substrat de SiC 4H-N de grau de producció de SiC de 8 polzades

Descripció breu:

Els substrats de SiC de 8 polzades s'utilitzen en dispositius electrònics d'alta potència, com ara MOSFET de potència (transistors d'efecte de camp de semiconductors d'òxid metàl·lic), díodes Schottky i altres dispositius semiconductors de potència.


Detall del producte

Etiquetes de producte

La taula següent mostra les especificacions de les nostres oblies de SiC de 8 polzades:

Especificacions del DSP SiC de tipus N de 8 polzades

Número Ítem Unitat Producció Recerca Maniquí
1: paràmetres
1.1 politipus -- 4H 4H 4H
1.2 orientació de la superfície ° <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5
2: Paràmetre elèctric
2.1 dopant -- nitrogen de tipus n nitrogen de tipus n nitrogen de tipus n
2.2 resistivitat ohm ·cm 0,015~0,025 0,01~0,03 NA
3: Paràmetre mecànic
3.1 diàmetre mm 200 ± 0,2 200 ± 0,2 200 ± 0,2
3.2 gruix μm 500±25 500±25 500±25
3.3 Orientació de l'osca ° [1-100]±5 [1-100]±5 [1-100]±5
3.4 Profunditat de l'osca mm 1~1.5 1~1.5 1~1.5
3.5 LTV μm ≤5 (10 mm * 10 mm) ≤5 (10 mm * 10 mm) ≤10 (10 mm * 10 mm)
3.6 TTV μm ≤10 ≤10 ≤15
3.7 Arc μm -25~25 -45~45 -65~65
3.8 Deformació μm ≤30 ≤50 ≤70
3.9 AFM nm Ra≤0.2 Ra≤0.2 Ra≤0.2
4: Estructura
4.1 densitat de microtubs ea/cm2 ≤2 ≤10 ≤50
4.2 contingut de metalls àtoms/cm2 ≤1E11 ≤1E11 NA
4.3 TSD ea/cm2 ≤500 ≤1000 NA
4.4 TLP ea/cm2 ≤2000 ≤5000 NA
4.5 TED ea/cm2 ≤7000 ≤10000 NA
5. Qualitat frontal
5.1 davant -- Si Si Si
5.2 acabat superficial -- CMP Si-face CMP Si-face CMP Si-face
5.3 partícula oblea ≤100 (mida ≥0,3 μm) NA NA
5.4 ratllar oblea ≤5, longitud total ≤200 mm NA NA
5.5 Vora
estelles/esquerdes/esquerdes/taques/contaminació
-- Cap Cap NA
5.6 Àrees de politipus -- Cap Àrea ≤10% Àrea ≤30%
5.7 marcatge frontal -- Cap Cap Cap
6: Qualitat del revers
6.1 acabat posterior -- C-face MP C-face MP C-face MP
6.2 ratllar mm NA NA NA
6.3 Vora de defectes posteriors
estelles/indentacions
-- Cap Cap NA
6.4 Rugositat de l'esquena nm Ra≤5 Ra≤5 Ra≤5
6.5 Marcatge posterior -- Osca Osca Osca
7: vora
7.1 vora -- Xamfrà Xamfrà Xamfrà
8: Paquet
8.1 embalatge -- Epi-ready amb buit
embalatge
Epi-ready amb buit
embalatge
Epi-ready amb buit
embalatge
8.2 embalatge -- Multi-oblia
envasament de casset
Multi-oblia
envasament de casset
Multi-oblia
envasament de casset

Diagrama detallat

asd (1)
asd (2)
asd (3)

  • Anterior:
  • Següent:

  • Escriu el teu missatge aquí i envia'ns-el