Substrat de carbur de silici de 2 polzades 6H-N diàmetre polit de doble cara 50,8 mm grau de producció grau d'investigació

Substrat de carbur de silici de 2 polzades 6H-N diàmetre polit a doble cara 50,8 mm grau de producció grau d'investigació Imatge destacada

Descripció breu:

El carbur de silici (SiC), també conegut com a carborundum, és un semiconductor que conté silici i carboni amb fórmula química SiC. SiC s'utilitza en dispositius electrònics semiconductors que operen a altes temperatures o altes tensions, o ambdues. SiC també és un dels components LED importants, és un substrat popular per al creixement de dispositius GaN i també serveix com a dispersor de calor en alta LEDs d'alimentació.
Les hòsties de carbur de silici són un material d'alt rendiment utilitzat en la producció de dispositius electrònics. Està fet d'una capa de carbur de silici en una cúpula de cristall de silici i està disponible en diferents graus, tipus i acabats superficials. Les hòsties tenen una planitud de Lambda/10, que garanteix la màxima qualitat i rendiment per als dispositius electrònics fets amb hòsties. Les hòsties de carbur de silici són ideals per utilitzar-les en electrònica de potència, tecnologia LED i sensors avançats. Subministrem hòsties de carbur de silici (sic) d'alta qualitat per a les indústries de l'electrònica i la fotònica.

Envieu-nos un correu electrònic

Detall del producte

Etiquetes de producte

Les següents són les característiques de la hòstia de carbur de silici de 2 polzades:

1. Millor resistència a la radiació: les hòsties SIC tenen una resistència a la radiació més forta, la qual cosa les fa aptes per al seu ús en entorns de radiació. Alguns exemples inclouen naus espacials i instal·lacions nuclears.

2. Major duresa: les hòsties SIC són més dures que el silici, cosa que millora la durabilitat de les hòsties durant el processament.

3. Menor constant dielèctrica: la constant dielèctrica de les hòsties SIC és més baixa que la del silici, la qual cosa ajuda a reduir la capacitat paràsita del dispositiu i millorar el rendiment d'alta freqüència.

4. Major velocitat de deriva d'electrons saturats: les hòsties de SIC tenen una velocitat de deriva d'electrons saturats més alta que el silici, donant als dispositius SIC un avantatge en aplicacions d'alta freqüència.

5. Major densitat de potència: amb les característiques anteriors, els dispositius d'hòstia SIC poden aconseguir una major potència de sortida en una mida més petita.

La hòstia de carbur de silici de 2 polzades té diverses aplicacions.
1. Electrònica de potència: les hòsties de SiC s'utilitzen àmpliament en equips electrònics de potència, com ara convertidors de potència, inversors i interruptors d'alta tensió a causa de les seves característiques d'alta tensió de ruptura i baixa pèrdua de potència.

2. Vehicles elèctrics: les hòsties de carbur de silici s'utilitzen en l'electrònica de potència dels vehicles elèctrics per millorar l'eficiència i reduir el pes, donant lloc a una càrrega més ràpida i una autonomia de conducció més llarga.

3. Energia renovable: les hòsties de carbur de silici tenen un paper vital en aplicacions d'energies renovables com ara inversors solars i sistemes d'energia eòlica, millorant l'eficiència i la fiabilitat de la conversió d'energia.

4.Aeroespacial i defensa: les hòsties de SiC són essencials a la indústria aeroespacial i de defensa per a aplicacions d'alta temperatura, alta potència i resistents a la radiació, inclosos els sistemes d'alimentació d'avions i sistemes de radar.

ZMSH ofereix serveis de personalització de productes per a les nostres hòsties de carbur de silici. Les nostres hòsties estan fetes de capes de carbur de silici d'alta qualitat procedents de la Xina per garantir la durabilitat i la fiabilitat. Els clients poden triar entre la nostra selecció de mides i especificacions d'hòsties per satisfer les seves necessitats específiques.

Les nostres hòsties de carbur de silici vénen en diferents models i mides, el model és carbur de silici.

Oferim una àmplia gamma de tractaments de superfície, incloent polit d'una o doble cara amb rugositat superficial ≤1,2 nm i planitud Lambda/10. També oferim opcions de resistivitat alta/baixa que es poden personalitzar segons els vostres requisits. El nostre EPD de ≤1E10/cm2 garanteix que les nostres hòsties compleixen els estàndards més alts de la indústria.

Ens ocupem de cada detall del paquet, neteja, tractament antiestàtic, xoc. Segons la quantitat i la forma del producte, farem un procés d'embalatge diferent! Gairebé per cassets d'hòsties individuals o cassets de 25 peces a la sala de neteja de grau 100.